[实用新型]一种高附着性的镀膜膜层及用于TCO镀膜的可回收假片有效
申请号: | 202021253585.5 | 申请日: | 2020-06-30 |
公开(公告)号: | CN212542459U | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 鲍少娟;王继磊;贾慧君;黄金;高勇;白焱辉;张娟 | 申请(专利权)人: | 晋能光伏技术有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人: | 李冉 |
地址: | 030600 山西省晋中市山西综改*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 附着 镀膜 用于 tco 可回收 | ||
本实用新型公开了一种高附着性的镀膜膜层及用于TCO镀膜的可回收假片;被镀膜表面具有凹凸不平的压花层,压花层的表面依次具有铟层和喷砂层;用于TCO镀膜的可回收假片,包括假片本体;假片本体至少一面具有凹凸不平的压花层;压花层的表面依次具有铟层和喷砂层;本实用新型提供的镀膜膜层能够应用在镀膜机构上,在此膜层上进行镀膜可以起到增加附着性、稳定性的有益效果;本实用新型提供的假片能解决现有技术中假片耗费大、成本高的问题,还能保证使用假片及假片装置过程中的稳定性,大大降低TCO镀膜工序的运行成本,同时还具有结构简单、制作成本低、可无损循环利用等特点。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,更具体的说是涉及一种高附着性的镀膜膜层及用于TCO镀膜的可回收假片。
背景技术
目前,磁控溅射和蒸发镀膜是当今半导体、光伏、平板显示行业中最主要的两种镀膜方法,在HJT太阳能电池行业,同样用以上两种方法制备TCO(透明导电氧化物)薄膜。TCO薄膜的光学性能和电学性能与工艺气氛、靶材稳定性等制备工艺条件息息相关。
为了得到稳定性高、均匀性好、高质量的薄膜,在正式生产前,通常会先对机台进行试跑、调试和预溅射,以达到稳定的工艺条件。当前,为了完成镀膜设备的预溅射而又不使膜层过多的沉积在腔体的内壁上,通常不会使用空载板进行预溅射,一般情况下,会使用硅片作为“假片”,放在承载硅片的载板上,进行一段时间的试跑和预溅射,假片试跑的阶段会持续几分钟到几小时不等。使用硅片作为假片来进行预溅射的方法,存在以下几个问题:
1)硅片使用次数增加会发生翘曲变形且难以恢复,无法回收利用,只能报废,这样长期积累起来,就会消耗大量硅片,而硅片价格昂贵,报废硅片造成严重物料浪费,硅片消耗的成本较高,使得生产成本增加;
2)有的硅片再次使用时极易造成裂片,破碎在腔体中,给生产带来不便;
3)硅片上镀膜偏厚时,受环境中湿度和温度的影响,膜层会以颗粒、片状形状从硅片表面脱落,脱落的粉尘过多时还会影响工艺稳定性。
因此,如何提供一种高附着性的镀膜膜层及结构简单、制作成本低、可无损循环利用的用于TCO镀膜的假片,是本领域技术人员亟需解决的问题。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供了一种高附着性的镀膜膜层,旨在解决上述技术问题。
为了实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种高附着性的镀膜膜层,被镀膜表面具有凹凸不平的压花层,所述压花层的表面依次具有铟层和喷砂层。
通过上述技术方案,本实用新型提供的镀膜膜层能够应用在镀膜机构上,在此膜层上进行镀膜可以起到增加附着性、稳定性的有益效果。
本实用新型还提供了一种用于TCO镀膜的可回收假片,包括假片本体;所述假片本体至少一面具有凹凸不平的压花层;所述压花层的表面依次具有铟层和喷砂层。
通过上述技术方案,本实用新型提供的假片主要用于TCO镀膜设备试跑和预溅射,假片本体经过表面处理形成压花层,具有更大的表面积和粗糙度,假片本体上设计有铟层,在增加层间粘附力的同时,更易于假片本体的清洗回收,可以通过浓盐酸浸泡、冲洗等已有成熟工艺进行清洗,TCO膜层、TCO粉尘可以附着在镀膜后的假片本体上;能解决现有技术中假片耗费大、成本高的问题,同时本实用新型提供的假片还具有易于清洗、可循环使用、不易磨损等特点。
优选的,在上述一种用于TCO镀膜的可回收假片中,所述假片本体为正方形、或具有倒直角的正方形、或具有倒圆角的正方形,且其厚度为0.3-2.0㎜。假片本体与所使用硅片的周向尺寸相同,周向尺寸包含正面形状、边缘轮廓等,目标在于可以让假片本体放置在正常承载板上,无需做其他载物板更换,便于操作、降低成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的