[实用新型]显示基板以及显示装置有效

专利信息
申请号: 202021255179.2 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN212515283U 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 刘晓那 申请(专利权)人: 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1333;G02F1/1339;G02F1/133;G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 王晓燕
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示 以及 显示装置
【说明书】:

一种显示基板、显示面板以及显示装置。该显示基板包括显示区域、边框区域、黑矩阵和对位标记。显示区域包括显示阵列;所述显示阵列包括呈阵列分布的多个显示像素,每个所述显示像素包括多个子像素;边框区域至少部分围绕所述显示区域;黑矩阵包括位于所述显示区域的第一部分和位于所述边框区域的第二部分,所述第一部分限定出所述多个子像素;对位标记位于所述边框区域,且位于所述黑矩阵的第二部分远离所述显示区域的一侧,所述对位标记与所述黑矩阵间隔开;所述黑矩阵的第二部分的平面形状具有拐角部,所述对位标记与所述拐角部相对设置,所述拐角部的靠近所述对位标记的外轮廓包括朝向所述显示区域凹陷的凹陷部分。

技术领域

本公开至少一实施例涉及一种显示基板以及显示装置。

背景技术

ESD(Electro-Static discharge,静电释放)是影响电子产品的制作良率的主要因素之一。在电子产品中,静电有多种产生方式,如接触、摩擦、器件间的感应等都可以产生静电。显示区域外部的静电电荷通过导电结构进入显示区域成为干扰电荷,干扰电荷会造成显示区域的显示效果带来不良影响,例如导致漏光,影响画面品质。静电释放以及干扰电荷进入显示区域还会缩短电子产品变得性能不稳定、使用寿命缩短。

实用新型内容

本公开至少一实施例提供一种显示基板,该显示基板包括:显示区域、边框区域、黑矩阵和对位标记。显示区域包括显示阵列;所述显示阵列包括呈阵列分布的多个显示像素,每个所述显示像素包括多个子像素;边框区域至少部分围绕所述显示区域;黑矩阵包括位于所述显示区域的第一部分和位于所述边框区域的第二部分,所述第一部分限定出所述多个子像素;对位标记位于所述边框区域,且位于所述黑矩阵的第二部分远离所述显示区域的一侧,所述对位标记与所述黑矩阵间隔开;所述黑矩阵的第二部分的平面形状具有拐角部,所述对位标记与所述拐角部相对设置,所述拐角部的靠近所述对位标记的外轮廓包括朝向所述显示区域凹陷的凹陷部分。

例如,本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述凹陷部分的平面形状与所述对位标记的靠近所述凹陷部分的外轮廓的形状互补。

例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述对位标记的靠近所述凹陷部分的外轮廓为直角形,所述凹陷部分为直角形;或者,所述对位标记的靠近所述凹陷部分的外轮廓为弧形,所述凹陷部分为弧形。

例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述凹陷部分与所述对位标记之间的最大距离小于0.5mm。

例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述黑矩阵的远离所述显示区域的边缘到所述显示基板的边缘的距离小于等于0.5mm,所述黑矩阵的所述边缘与所述显示基板的所述边缘位于所述显示区域的同一侧。

例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述黑矩阵的第二部分中设置有位于所述边框区域的第一环形开口,所述第一环形开口环绕所述显示区域;所述黑矩阵的位于所述边框区域的第二部分在所述第一环形开口处断开,所述第一环形开口将所述黑矩阵的位于所述边框区域的第二部分分隔成彼此间隔开的内侧部分和外侧部分,所述内侧部分位于所述第一环形开口的靠近所述显示区域的一侧,所述外侧部分位于所述第一环形开口的远离所述显示区域的一侧。

例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述第一环形开口的在从显示区域到边框区域的方向上的宽度小于等于50μm,第一环形开口的远离所述显示区域的边缘到所述显示基板的边缘的距离大于等于0.2mm且小于等于1.0mm,所述第一环形开口的远离所述显示区域的所述边缘与所述显示基板的所述边缘位于所述显示区域的同一侧。

例如,在本公开至少一实施例提供的显示基板中,所述内侧部分的在从显示区域到边框区域的方向上的宽度大于所述外侧部分的在从显示区域到边框区域的方向上的宽度。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司,未经北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021255179.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top