[实用新型]一种1位低功耗负电平互补输出反相器有效

专利信息
申请号: 202021255779.9 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN212305300U 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 齐步坤;刘家兵 申请(专利权)人: 合肥芯谷微电子有限公司
主分类号: H03K19/08 分类号: H03K19/08
代理公司: 昆明合众智信知识产权事务所 53113 代理人: 叶春娜
地址: 230088 安徽省合肥市高新区创新大*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 功耗 电平 互补 输出 反相器
【权利要求书】:

1.一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:包括一个TTL电平输入端口、电平转换电路、输入级电路、缓冲级电路、偏置级电路、输出级电路以及两个互补输出端口,其中:TTL电平输入端口连接电平转换电路,所述电平转换电路依次连接输入级电路、缓冲级电路、偏置级电路和输出级电路,所述输入级电路、缓冲级电路、偏置级电路和输出级电路有两级,且第一级的缓冲级电路输出与第二级的输入级电路输入连接,两个互补输出端口分别对应与每级的输出级电路输出连接。

2.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述电平转换电路由七个二极管和两个D型FET管串联构成。

3.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述输入级电路由两个D型FET管与一个E型FET管相串联构成。

4.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述缓冲级电路由三个E型FET管与一个D型FET管构成。

5.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述偏置级电路由两个D型FET管与一个E型FET管构成。

6.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述输出级电路由一个D型FET管和一个E型FET管构成。

7.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述电平转换电路、输入级电路之间以及缓冲级电路、偏置级电路之间通过电阻连接。

8.根据权利要求1所述的一种1位低功耗负电平互补输出反相器,其特征在于:所述第一级的缓冲级电路输出与第二级的输入级电路输入之间通过电阻连接。

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