[实用新型]一种负压型微量水分分析仪防倒吸装置

说明书

本实用新型涉及一种负压型微量水分分析仪防倒吸装置，包括；负压型分析仪；第一阀门，所述第一阀门通入吹扫气体或者样品气体，所述第一阀门还与负压型分析仪的输入口通过管道相连通；第二阀门，所述第二阀门的一端与负压型分析仪的出口通过管道相连通；切断装置；所述切断装置的一端与第二阀门的另一端通过管道相连通；真空泵，所述真空泵的一端与切断装置的另一端通过管道相连通，所述真空泵的另一端通过管道与外界相连通。本实用新型中，当真空泵损坏，通过切断装置防止脏污气体被倒吸至负压型水分仪内部，达到保护负压型水分仪不被污染。

技术领域

本实用新型涉及高纯特种气体技术领域，尤其涉及一种负压型微量水分分析仪防倒吸装置。

背景技术

和传统大宗工业气体不同，电子气体用量小、纯度高，通常要求99.999％及以上纯度，电子气是伴随电子材料及半导体行业发展起来。常见半导体工艺流程使用的电子气体及用途中，氢气、氮气、氦气、氩气等多用于载气、吹扫气、稀释气，用来提供惰性环境或还原性环境等；而HF、HCl、HBr用于多晶硅的热刻蚀工艺，氟碳化合物用于等离子体刻蚀及腔体清洗等。

硅源气体依据不同工艺如多晶硅生长、氮化硅等半导体制备过程中， P-N结生长过程最重要的电子源和空穴源主要集中在第五主族的磷烷、砷烷以及第三主族的BF3、B2H6等；锗烷主要用于硅锗半导体的外延生长。因其特殊的光电性能，高纯磷烷、砷烷、锗烷、乙硼烷等是核心器件的重要源材料，是集成电路、芯片、LED器件、太阳能电池等关键技术发展的基础。同时，以高纯砷烷、磷烷为原料制备的半导体激光器如砷化镓、磷化铟等，制约一个国家军事国防、航空航天及卫星遥感等敏感技术的发展。

电子气体中的水分杂质可导致载流子浓度改变，进而影响器件光学和电学性能，发光效率急剧降低，故高纯电子特气对于水分含量有严格规定，通常低于100ppb。在电子气体中的剧毒气体中水分的分析过程当中负压型水分仪具有灵敏度高、线性范围宽、样品用量少等特点，但是负压型水分仪存在一种弊端就是必须要求水分仪的腔体处于负压状态，这不得不借助于真空泵，当真空泵意外停机时，水分仪腔体内仍处于负压状态，导致从真空泵端倒吸气体，造成水分仪腔体污染，仪器不得不返回国外维修，严重影响企业的经营。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于解决真空泵端倒吸气体，造成水分仪腔体污染的问题。

本实用新型通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：

一种负压型微量水分分析仪防倒吸装置，包括；

负压型分析仪；

第一阀门，所述第一阀门通入吹扫气体或者样品气体，所述第一阀门还与负压型分析仪的输入口通过管道相连通；

第二阀门，所述第二阀门的一端与负压型分析仪的出口通过管道相连通；

切断装置；所述切断装置的一端与第二阀门的另一端通过管道相连通；

真空泵，所述真空泵的一端与切断装置的另一端通过管道相连通，所述真空泵的另一端通过管道与外界相连通。

本实用新型中，当真空泵损坏，通过切断装置防止脏污气体被倒吸至负压型水分仪内部，达到保护负压型水分仪不被污染。

作为本实用新型进一步的方案：所述切断装置包括第三阀门、MPC控制器、第四阀门、信号控制器，其中，所述第三阀门的一端与第二阀门通过管道相连通，所述第三阀门的另一端通过管道与MPC控制器相连通，所述MPC控制器还通过管道与真空泵相连通，所述MPC控制器还与信号控制器通过导线电性连接，所述信号控制器还与第四阀门通过导线电性连接；所述第三阀门、第四阀门还通过管道相连通。

作为本实用新型进一步的方案：所述第一阀门和第二阀门为手动阀门。

作为本实用新型进一步的方案：所述第三阀门为气动阀，所述三阀门的开启状态驱动气压力为5-7atm。