[实用新型]一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器有效
| 申请号： | 202021257428.1 | 申请日： | 2020-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN212542458U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 王林;朱久泰;郭万龙;陈效双;陆卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/109 | 分类号： | H01L31/109;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas algaas 异质结太 赫兹 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs和AlGaAs异质结太赫兹探测器，包括GaAs衬底(9)、GaAs缓冲层(8)、Al0.3Ga0.7As势垒层(6)、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层(5)和掺杂硅的GaAs势垒层(4)，其特征在于：
所述太赫兹探测器的结构自下而上依次是GaAs衬底(9)、GaAs缓冲层(8)、Al0.3Ga0.7As势垒层(6)、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层(5)和掺杂硅的GaAs势垒层(4)，源极(2)和漏极(3)都位于GaAs缓冲层(8)上并且位于Al0.3Ga0.7As势垒层(6)、掺杂硅的Al0.3Ga0.7As势垒层(5)和掺杂硅的GaAs势垒层(4)两端，与Al0.3Ga0.7As势垒层(6)与GaAs缓冲层(8)之间形成的二维电子气沟道(7)形成欧姆接触，栅极(1)位于掺杂硅的GaAs势垒层(4)上方并与掺杂硅的GaAs势垒层(4)形成肖特基接触；
所述的Al0.3Ga0.7As势垒层(6)的厚度为13～15nm；
所述源极(2)和漏极(3)都是复合金属，自下而上依次为金锗合金、镍和金；
所述栅极(1)是复合金属，自下而上依次为钛和金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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