[实用新型]磁膜有效
申请号: | 202021258582.0 | 申请日: | 2020-07-01 |
公开(公告)号: | CN213583308U | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 金辰旭;禹成宇;徐政柱;马修·R·C·阿特金森 | 申请(专利权)人: | 3M创新有限公司 |
主分类号: | H01F10/00 | 分类号: | H01F10/00;H05K9/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周晨 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁膜 | ||
1.一种磁膜,其特征在于,所述磁膜包括一个或多个导磁层,每个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个第一贯穿裂纹,所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且以第一节距P1沿正交的第二方向形成第一规则图案,使得所述第一规则图案的傅里叶变换包括在对应于所述第一节距P1的第一空间频率下沿所述第二方向的第一峰,所述第一贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均长度L1,L1/P1≥5。
2.根据权利要求1所述的磁膜,其中每个导磁层开裂以进一步形成多个第二贯穿裂纹,所述多个第二贯穿裂纹沿所述第二方向延伸并且以第二节距P2沿所述第一方向形成第二规则图案,使得所述第二规则图案的傅里叶变换包括在对应于所述第二节距P2的第二空间频率下沿所述第二方向的第二峰。
3.根据权利要求2所述的磁膜,其中在俯视平面图中,所述第一贯穿裂纹具有沿所述第二方向的平均宽度W1,并且所述第二贯穿裂纹具有沿所述第一方向的平均宽度W2,W1W2。
4.根据权利要求1所述的磁膜,其中所述一个或多个导磁层设置在基底上。
5.根据权利要求1所述的磁膜,其中所述一个或多个导磁层包括沿所述磁膜的厚度方向堆叠的多个导磁层。
6.一种磁膜,其特征在于,所述磁膜包括一个或多个导磁层,每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹,使得当所述磁膜基本上平放并且磁线圈靠近所述磁膜设置,且所述磁线圈生成磁通量线,所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿,并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时,当所述磁膜具有第一面内取向时,所述磁线圈在200kHz下具有第一电感I1,并且当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时,所述磁线圈在200kHz下具有第二电感I2,I1I2。
7.根据权利要求6所述的磁膜,其中当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转约30度时,I1/I2≥1.2。
8.根据权利要求6所述的磁膜,其中在所述磁线圈靠近所述磁膜设置之前,所述磁线圈在200kHz下具有电感I,并且其中I1/I≥5。
9.一种磁膜,其特征在于,所述磁膜包括一个或多个导磁层,所述一个或多个导磁层开裂以形成限定多个导磁节段的多个至少第一贯穿裂纹和第二贯穿裂纹,所述第一贯穿裂纹沿第一方向延伸并且沿正交的第二方向形成第一规则图案,并且所述第二贯穿裂纹沿不同于所述第一方向的第三方向延伸并且沿正交的第四方向形成第二规则图案,使得所述第一规则图案和所述第二规则图案的二维傅里叶变换包括沿相应的第二方向和第四方向的相应的第一峰和第二峰,其中在俯视平面图中,所述第一贯穿裂纹具有沿所述第二方向的平均宽度V1,并且所述第二贯穿裂纹具有沿所述第四方向的平均宽度V2,V1V2。
10.一种磁膜,其特征在于,所述磁膜包括一个或多个导磁层,每个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹,使得当所述磁膜基本上平放并且磁线圈靠近所述磁膜设置,且所述磁线圈生成磁通量线,所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿,并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时,当所述磁膜具有第一面内取向时,所述磁线圈在200kHz下具有第一电阻R1,并且当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转大于约15度的角度以具有第二面内取向时,所述磁线圈在200kHz下具有第二电阻R2,R1R2。
11.一种磁膜,其特征在于,所述磁膜包括一个或多个导磁层,所述一个或多个导磁层在其中限定多个贯穿裂纹,使得当所述磁膜基本上平放并且磁线圈靠近所述磁膜设置,且所述磁线圈在200kHz下生成磁通量线,所述磁通量线基本上平行于所述磁膜的至少一部分横穿,并且跨过所述磁膜的所述至少一部分延伸时,当所述磁膜具有第一面内取向时,所述磁线圈具有最大电感Imax,并且当所述磁膜相对于所述磁线圈面内旋转以具有不同的第二面内取向时,所述磁线圈具有最小电感Imin,Imax/Imin1.5。
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