[实用新型]一种麦克风降噪电路有效

专利信息
申请号: 202021263001.2 申请日: 2020-06-30
公开(公告)号: CN213938301U 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: 周洪;鲁骏 申请(专利权)人: 深圳摩罗志远科技有限公司
主分类号: H04R3/00 分类号: H04R3/00
代理公司: 深圳市深可信专利代理有限公司 44599 代理人: 刘昌刚
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区横岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 麦克风 电路
【权利要求书】:

1.一种麦克风降噪电路,其特征在于,包括:电源管理模块、咪头供电模块,信号衰减模块、信号衰减与低切模块、接口切换模块以及耳机扩展模块,所述咪头供电模块的输出端通过所述信号衰减模块连接至所述信号衰减与低切模块,所述信号衰减与低切模块的输出端通过所述接口切换模块与所述耳机扩展模块连接,所述电源管理模块分别与所述咪头供电模块、所述耳机扩展模块、所述接口切换模块连接,以及所述信号衰减与低切模块连接所述电源管理模块的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种麦克风降噪电路,其特征在于,所述电源管理模块包括:电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R5、电阻R6、PNP三极管Q1、NPN三极管Q2以及开关SW3,所述PNP三极管Q1的发射极与基极两端并联连接电阻R2,所述PNP三极管Q1的基极通过所述电阻R5与所述NPN三极管Q2的集电极连接,所述PNP三极管Q1的集电极通过所述电阻R1与所述咪头供电模块的VCC端连接,且所述PNP三极管Q1的集电极通过电容C1接地;所述NPN三极管Q2的基极通过所述电阻R6以及所述电阻R3与所述PNP三极管Q1的发射极连接,所述电阻R6与所述电阻R3之间的连接点连接所述开关SW3的5脚,且所述NPN三极管Q2的发射极接地。

3.根据权利要求1所述的一种麦克风降噪电路,其特征在于,所述咪头供电模块包括:咪头MIC1、电阻R4,VCC端通过所述电阻R4连接所述咪头MIC1的正极引脚,提供所述咪头MIC1的正常的工作电流,且所述咪头MIC1的正极引脚连接所述信号衰减模块的输入端。

4.根据权利要求3所述的一种麦克风降噪电路,其特征在于,所述信号衰减模块包括:电容C5、电阻R9、电阻R7、开关SW2以及电阻R10,所述咪头供电模块通过MIC1的正极引脚将输入信号经过所述电容C5耦合到所述信号衰减模块,所述电容C5与所述电阻R9连接,所述电容C5与所述电阻R9之间的连接点连接所述开关SW2的1脚,所述电阻R7一端接地, 所述电阻R7另一端连接在所述开关SW2的3脚与所述电阻R9之间的连接点上,所述开关SW2的3脚通过所述电阻R10接地。

5.根据权利要求4所述的一种麦克风降噪电路,其特征在于,所述信号衰减与低切模块包括有源高通滤波器、射极跟随器以及转折频率为100Hz左右的高通滤波器,所述有源高通滤波器包括:开关SW1、滤波电容C2、滤波电容C3、滤波电容C4、电阻R8、NPN三极管Q3、电阻R12以及电阻R13,所述滤波电容C3与所述滤波电容C4串联,并与所述NPN三极管Q3的基极连接,所述滤波电容C2分别与所述滤波电容C3、所述滤波电容C4并联,所述滤波电容C2连接在所述开关SW1的2脚与所述NPN三极管Q3的基极之间,所述开关SW1的1脚连接在所述滤波电容C3一侧,所述信号衰减与低切模块通过所述滤波电容C3与所述信号衰减模块连接。

6.根据权利要求5所述的一种麦克风降噪电路,其特征在于,所述射极跟随器包括上偏电阻R8、下偏电阻R12、发射极电阻R13以及所述NPN三极管Q3,所述上偏电阻R8与所述下偏电阻R12串联,上偏电阻R8的一端连接在所述NPN三极管Q3的集电极,下偏电阻R12的一端接地,且所述上偏电阻R8与所述下偏电阻R12之间的连接点连接所述NPN三极管Q3的基极,所述发射极电阻R13连接在所述NPN三极管Q3的发射极与地之间。

7.根据权利要求6所述的一种麦克风降噪电路,其特征在于,所述转折频率为100Hz左右的高通滤波器包括:滤波电容C3、滤波电容C4、电阻R11、所述下偏电阻R12、所述发射极电阻R13以及所述NPN三极管Q3,所述电阻R11一端连接在所述滤波电容C3与所述滤波电容C4之间,所述电阻R11另一端连接在所述NPN三极管Q3的发射极与所述发射极电阻R13之间,所述下偏电阻R12的一端连接在所述滤波电容C4与所述NPN三极管Q3的基极之间,所述下偏电阻R12另一端接地。

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