[实用新型]基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器

权利要求书

1.基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，包括输入匹配网络、晶体管、谐波控制网络、漏极宽带补偿电路以及基波匹配网络，其中，所述输入匹配网络的输入端接入功率信号，其输出端与所述晶体管的栅极相连接；所述晶体管漏极与源极之间并接漏极宽带补偿电路，所述漏极宽带补偿电路用于根据功率信号补偿所需的输出电容；所述晶体管漏极与谐波控制网络的输入端相连接，谐波控制网络的输出端与基波匹配网络的输入端相连接，基波匹配网络的输出端作为功率输出端，匹配到所需要的最终阻抗值。

2.根据权利要求1所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，所述漏极宽带补偿电路包括两对耦合线、第一扇形微带线Curve1、第二扇形微带线Curve2、第十一微带线TL11和第十二微带线TL12，其中，第一扇形微带线Curve1和第二扇形微带线Curve2为四分之一弧长的微带线；第一对耦合线包括第一耦合线和第二耦合线，第二对耦合线包括第三耦合线和第四耦合线，所述第一耦合线的一端与第二耦合线的一端相连接，所述第一耦合线的另一端与第十一微带线TL11的一端连接，第十一微带线TL11的另一端与第一扇形微带线Curve1的一端连接，第一扇形微带线Curve1的另一端与第三耦合线的一端连接，第三耦合线的另一端与第四耦合线的一端相连接，第四耦合线的另一端与第二扇形微带线Curve2的一端连接，第二扇形微带线Curve2的另一端与第十二微带线TL12的一端连接，第十二微带线TL12另一端与第二耦合线的另一端相连接。

3.根据权利要求2所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，还包括栅极宽带补偿电路，栅极宽带补偿电路与晶体管栅极并联，采用与漏极宽带补偿电路相同的电路结构。

4.根据权利要求2所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，所述谐波控制网络与漏极宽带补偿电路相连接，至少包括第一微带线TL1、第二微带线TL2和第三微带线TL3，其中，所述第一微带线TL1一端与晶体管漏极连接,其另一端与第二微带线TL2的一端和第三微带线TL3的一端相连接，第二微带线TL2的另一端接地，第三微带线TL3的另一端与漏极宽带补偿电路并联连接。

5.根据权利要求4所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，所述谐波控制网络在谐波控制时考虑了高达三次谐波的阻抗，调谐TL1得到TL1 + TL2=λ/ 4；在中心频率f0处漏极宽带补偿电路（CCS）的电气长度为λ/ 12；然后，调谐TL2得到TL1 + TL3 + CCS ＝λ/ 6。

6.根据权利要求1或2所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，晶体管采用GaN HEMT CGH40010F晶体管。

7.根据权利要求1或2所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，输入匹配电路与晶体管之间设有栅极偏置电路，其偏置电压为-2.7V。

8.根据权利要求1或2所述的基于电容补偿结构的宽带混合式EF类功率放大器，其特征在于，晶体管漏极处设有偏置电路，其偏置电压为28V。