[实用新型]一种碳化硅MPS器件

权利要求书

1.一种碳化硅MPS器件，其特征在于，包括SiC衬底、SiC外延层、肖特基金属层、第一欧姆接触金属层、第二欧姆接触金属层；SiC外延层设置于SiC衬底的第一表面；肖特基金属层设置于SiC外延层的有源区表面；第一欧姆接触金属层设置于SiC衬底的第二表面；第二欧姆接触金属层设置于SiC外延层与肖特基金属层之间；SiC外延层设置有有源区，有源区包括至少一个第一P型区、复数第二P型区、N型区；第一P型区表面设有第二欧姆接触金属层，第二欧姆接触金属层位于第一P型区与肖特基金属层之间，第二P型区不设欧姆接触金属层。

2.根据权利要求1所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第一P型区与第二P型区均为条状，任意一个第一P型区表面的宽度大于任意一个第二P型区表面的宽度。

3.根据权利要求2所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第一P型区的宽度相同且等间隔设置；或者，第一P型区的宽度不全相同，相邻第一P型区之间相对边的距离相同。

4.根据权利要求1所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第一P型区与第二P型区均为块状区域，任意一个第一P型区表面的平面面积大于任意一个第二P型区表面的平面面积。

5.根据权利要求4所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第一P型区、第二P型区为矩形区域、梯形区域、正多边形区域、圆形区域、异形区域或其组合。

6.根据权利要求1所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第一P型区、第二P型区为条状与块状区域的组合；当第一P型区为条状、第二P型区为块状区域时，第一P型区表面的平面面积大于第二P型区表面的平面面积；当第一P型区为块状区域、第二P型区为条状时，第一P型区表面任一方向的径向宽度大于第二P型区表面宽度。

7.根据权利要求1至6任一项所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，N型区表面的总平面面积为第一P型区表面与第二P型区表面的总平面面积的1至10倍；任意一个第一P型区表面宽度值是1～10μm，数量≥2，任意一个第二P型区表面宽度值≥0.1μm。

8.根据权利要求1至6任一项所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第一P型区与第二P型区间隔设置。

9.根据权利要求1至6任一项所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第二欧姆接触金属层完全覆盖第一P型区。

10.根据权利要求1至6任一项所述的碳化硅MPS器件，其特征在于，第二欧姆接触金属层为不完全覆盖第一P型区的块状金属层。