[实用新型]电流监测电路和集成电路有效

专利信息
申请号: 202021269931.9 申请日: 2020-07-01
公开(公告)号: CN212675016U 公开(公告)日: 2021-03-09
发明(设计)人: V·洛穆佐;A·古索尼;A·博加尼;F·马尔蒂尼奥尼;M·F·莫雷蒂 申请(专利权)人: 意法半导体股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 意大利阿格*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电流 监测 电路 集成电路
【权利要求书】:

1.一种电流监测电路,其特征在于,包括:

输出端子,被配置为耦合到控制器;

反相器,具有耦合到所述输出端子的输出;

第一跨导放大器,具有被配置为跨感测电阻性元件耦合的第一输入和第二输入,并且具有耦合到所述反相器的输入的输出;以及

电流发生器,具有第二跨导放大器,所述第二跨导放大器被配置为:基于基准电压,在所述电流发生器的输出处生成基准电流,所述电流发生器的所述输出被耦合到所述反相器的所述输入,其中所述反相器的所述输出被配置为:当流过所述感测电阻性元件的负载电流高于预定阈值时,处于第一状态,并且当所述负载电流低于所述预定阈值时,处于第二状态,并且其中所述预定阈值基于所述基准电流。

2.根据权利要求1所述的电流监测电路,其特征在于,所述第一跨导放大器包括:

第一晶体管,具有耦合到所述第一跨导放大器的所述第一输入的控制端子;

第二晶体管,具有耦合到所述第一跨导放大器的所述第二输入的控制端子;

第三晶体管,具有耦合在所述第一晶体管的电流路径和第一供电端子之间的电流路径,其中所述第三晶体管的控制端子被耦合到所述第二晶体管的电流路径;

第四晶体管,具有耦合在所述第二晶体管的所述电流路径和所述第一供电端子之间的电流路径,其中所述第四晶体管的控制端子被耦合到所述第一晶体管的所述电流路径;

第一电阻性元件,耦合在所述第三晶体管的所述电流路径和所述第四晶体管的所述电流路径之间;以及

第一电流镜,耦合在所述第一晶体管的所述电流路径和所述第一跨导放大器的所述输出之间。

3.根据权利要求2所述的电流监测电路,其特征在于,所述电流发生器包括:

第二电阻性元件;

第一放大器,具有被配置为接收所述基准电压的第一输入,并且具有耦合到所述第二电阻性元件的第二输入;

第五晶体管,具有耦合到所述第二电阻性元件的电流路径,并且具有耦合到所述第一放大器的输出的控制端子;以及

第二电流镜,耦合在所述第五晶体管的所述电流路径和所述电流发生器的所述输出之间。

4.根据权利要求2所述的电流监测电路,其特征在于,所述基准电压包括具有第一基准电压和第二基准电压的差分基准电压,并且其中所述电流发生器包括:

第五晶体管,具有被配置为接收所述第一基准电压的控制端子;

第六晶体管,具有被配置为接收所述第二基准电压的控制端子;

第七晶体管,具有耦合到所述第五晶体管的电流路径的电流路径,并且具有耦合到所述第六晶体管的电流路径的控制端子;

第八晶体管,具有耦合到所述第六晶体管的所述电流路径的电流路径,并且具有耦合到所述第五晶体管的所述电流路径的控制端子;

第二电阻性元件,耦合在所述第七晶体管的所述电流路径和所述第八晶体管的所述电流路径之间;以及

电流镜,耦合在所述第五晶体管的所述电流路径和所述反相器的所述输入之间。

5.根据权利要求4所述的电流监测电路,其特征在于,所述第二基准电压为接地。

6.根据权利要求2所述的电流监测电路,其特征在于,所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管是n型晶体管。

7.根据权利要求1所述的电流监测电路,其特征在于,所述第一状态为高,并且所述第二状态为低。

8.根据权利要求1所述的电流监测电路,其特征在于,还包括:所述控制器,被配置为基于所述反相器的所述输出,来生成指示过电流事件的信号。

9.根据权利要求1所述的电流监测电路,其特征在于,还包括:所述感测电阻性元件,耦合在所述第一跨导放大器的所述第一输入和所述第二输入之间。

10.根据权利要求9所述的电流监测电路,其特征在于,所述感测电阻性元件包括晶体管。

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