[实用新型]一种带温度补偿的电流基准电路

权利要求书

1.一种带温度补偿的电流基准电路，其特征在于，包括：

正温度系数电流生成电路，用于在工作时生成正温度系数电流；

与所述正温度系数电流生成电路连接的负温度系数电流生成电路，用于在工作时生成负温度系数电流，以将所述负温度系数电流与所述正温度系数电流叠加得到一个温度系数低于预设系数阈值的基准电流。

2.如权利要求1所述的带温度补偿的电流基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流生成电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管及第一电阻；其中：

所述第三晶体管的第一电极、所述第四晶体管的第一电极及所述第五晶体管的第一电极均接入直流电压，所述第三晶体管的控制极分别与所述第四晶体管的控制极及所述第五晶体管的控制极连接；所述第三晶体管的第二电极分别与所述第一晶体管的第二电极、所述第一晶体管的控制极及所述第二晶体管的控制极连接，所述第一晶体管的第一电极与所述第六晶体管的第二电极连接，所述第六晶体管的第一电极及自身控制极均接地；所述第四晶体管的第二电极分别与自身控制极和所述第二晶体管的第二电极连接，所述第二晶体管的第一电极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述第七晶体管的第二电极连接，所述第七晶体管的第一电极及自身控制极均接地；所述第五晶体管的第二电极输出所述正温度系数电流；

其中，第一晶体管和第二晶体管为镜像晶体管结构，二者结构比例为1:1；第三晶体管至第五晶体管为镜像晶体管结构，三者结构比例为1:1:1；第七晶体管与第六晶体管的结构比例为n:1，n为大于1的整数；第一晶体管和第二晶体管均为控制极输入高电平导通、低电平截止的晶体管；第三晶体管至第七晶体管均为控制极输入低电平导通、高电平截止的晶体管。

3.如权利要求2所述的带温度补偿的电流基准电路，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为NMOS管；其中，所述NMOS管的源极作为第一/第二晶体管的第一电极，所述NMOS管的漏极作为第一/第二晶体管的第二电极，所述NMOS管的栅极作为第一/第二晶体管的控制极；

所述第三晶体管、所述第四晶体管及所述第五晶体管均为PMOS管；其中，所述PMOS管的源极作为第三/第四/第五晶体管的第一电极，所述PMOS 管的漏极作为第三/第四/第五晶体管的第二电极，所述PMOS管的栅极作为第三/第四/第五晶体管的控制极；

所述第六晶体管和所述第七晶体管均为PNP型三极管；其中，所述PNP型三极管的集电极作为第六/第七晶体管的第一电极，所述PNP型三极管的发射极作为第六/第七晶体管的第二电极，所述PNP型三极管的基极作为第六/第七晶体管的控制极。

4.如权利要求1所述的带温度补偿的电流基准电路，其特征在于，所述负温度系数电流生成电路包括第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管及第二电阻；其中：

所述第八晶体管的第一电极和所述第九晶体管的控制极均接入所述正温度系数电流生成电路输出的正温度系数电流，所述第八晶体管的第二电极接地，所述第八晶体管的控制极分别与所述第九晶体管的第二电极、所述第十晶体管的控制极及所述第二电阻的第一端连接，所述第九晶体管的第一电极和所述第十晶体管的第一电极连接且连接点输入所述基准电流，所述第十晶体管的第二端和所述电阻的第二端均接地；

其中，第八晶体管和第十晶体管为镜像晶体管结构，二者结构比例为1:1，且二者控制极电压为负温度系数电压；第八晶体管至第十晶体管均为控制极输入高电平导通、低电平截止的晶体管。

5.如权利要求4所述的带温度补偿的电流基准电路，其特征在于，所述第八晶体管和所述第十晶体管均为NPN型三极管；其中，所述NPN型三极管的集电极作为第八/第十晶体管的第一电极，所述NPN型三极管的发射极作为第八/第十晶体管的第二电极，所述NPN型三极管的基极作为第八/第十晶体管的控制极。