[实用新型]一种均衡充电电路有效

专利信息
申请号: 202021281861.9 申请日: 2020-07-02
公开(公告)号: CN212875408U 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 唐建华 申请(专利权)人: 深圳市欧力普能源与自动化技术有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H01M10/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 均衡 充电 电路
【权利要求书】:

1.一种均衡充电电路,包括并联在电池组中单体电池两端的被动均衡电路和设置在电池组充、放电回路中的充放电保护电路,所述的被动均衡电路和充放电保护电路由主处理器控制;其特征在于:还包括并联在所述的充放电保护电路两端的限流充电电路,主处理器在充放电保护电路过充保护时控制限流充电电路工作,使充电电流低于被动均衡电流。

2.根据权利要求1所述的均衡充电电路,其特征在于:所述的充放电保护电路包括设置在充放电回路上D极相连的MOS管Q1和MOS管Q2、二极管D1、二极管D2,所述的MOS管Q1和MOS管Q2的G极由主处理器控制,二极管D1并联在MOS管Q1的D-S极之间,二极管D2并联在MOS管Q2的D-S极之间,二极管D1和二极管D2的P极分别与MOS管Q1和MOS管Q2的S极相连。

3.根据权利要求1所述的均衡充电电路,其特征在于:所述的充放电保护电路包括由主处理器控制的继电器K1和继电器K2以及二极管D1、二极管D2;所述的继电器K1和继电器K2串连接入充放电回路中,二极管D1、二极管D2分别设置在继电器K1和继电器K2的两端,阴极相连。

4.根据权利要求2所述的均衡充电电路,其特征在于:所述的限流充电电路包括由主处理器控制是否吸合的继电器K3和电阻R1,继电器K3与电阻R1串联后再并联到所述的充放电保护电路中MOS管Q1和MOS管Q2的S之间,所述的电阻R1阻值选择限制电流小于被动均衡电流时的电阻。

5.根据权利要求3所述的均衡充电电路,其特征在于:所述的限流充电电路包括由主处理器控制是否吸合的继电器K3和电阻R1,继电器K3与电阻R1串连后再并联到所述的充放电保护电路中的过充保护开关两端,所述的电阻R1阻值选择限制电流小于被动均衡电流时的电阻。

6.根据权利要求2或3所述的均衡充电电路,其特征在于:包括MOS管Q3和MOS管Q4、二极管D3、二极管D4、电阻R1,所述的MOS管Q3和MOS管Q4的D极相连,G极接受主处理器控制,两个S极分别接充放电保护电路的两端,二极管D3和二极管D4分别设置在MOS管Q3和MOS管Q4 的D-S极两端,二极管D3和二极管D4阴极相连,电阻R1设置在MOS管Q3和MOS管Q4串联的电路中,所述的电阻R1阻值选择限制电流小于被动均衡电流时的电阻。

7.根据权利要求2或3所述的均衡充电电路,其特征在于:包括MOS管Q3、二极管D3、电阻R1,所述的MOS管Q3的G极接受主处理器控制,二极管D3设置在MOS管Q3的D-S极之间,二极管D3的阳极接MOS管Q3的S极;MOS管Q3的D、S极并联到所述的充放电保护电路中的过充保护开关两端,电阻R1串连在MOS管Q3的S、D任意一端,所述的电阻R1阻值选择限制电流小于被动均衡电流时的电阻。

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