[实用新型]一种具有侧边拼接结构的硅晶片有效
申请号: | 202021283008.0 | 申请日: | 2020-07-04 |
公开(公告)号: | CN212113691U | 公开(公告)日: | 2020-12-08 |
发明(设计)人: | 鲁长运;王艳丽 | 申请(专利权)人: | 昆山台洋电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/32 | 分类号: | H01L23/32;H01L23/00;H01L25/07 |
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地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 侧边 拼接 结构 晶片 | ||
本实用新型公开了一种具有侧边拼接结构的硅晶片,包括硅晶片主体和晶体管,所述硅晶片主体的内部均设置有晶体管,所述硅晶片主体的外部贯穿有防护结构,所述第一连接块的一侧固定有卡块,所述第二连接块固定于硅晶片主体的另一侧,所述硅晶片主体的内部固定有加强结构。本实用新型通过设置有拆装结构实现了可以对硅晶片之间进行拼接安装,通过第一连接块的一侧固定有卡块,当需要对两片硅晶片主体进行拼接时,把硅晶片主体一侧的卡块对接到另一个硅晶片主体的卡槽的一侧,把卡块插入卡槽的内部,旋转卡块,此时卡块会固定在卡槽的内部,可以对硅晶片之间进行拼接安装,便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积,适用性较强。
技术领域
本实用新型涉及硅晶片技术领域,具体为一种具有侧边拼接结构的硅晶片。
背景技术
随着社会的快速发展,电气时代的来临,我国在电器方面的发展也越来越好,在一些集成电路的制造和数据的存储传输中,会使用到硅晶片,硅晶片是由硅锭加工而成的,通过专门的工艺可以在硅晶片上刻蚀出数以百万计的晶体管,所以就会使用到专门的具有侧边拼接结构的硅晶片;
但是市面上现有的硅晶片在进行使用时,不便于对硅晶片之间进行拼接安装,不便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积,适用性较差,所以现开发出一种具有侧边拼接结构的硅晶片,以解决上述问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有侧边拼接结构的硅晶片,以解决上述背景技术中提出不便于对硅晶片之间进行拼接安装,不便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积,适用性较差的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种具有侧边拼接结构的硅晶片,包括硅晶片主体和晶体管,所述硅晶片主体的内部均设置有晶体管,所述硅晶片主体的外部贯穿有防护结构,所述硅晶片主体的两侧固定有拆装结构,所述拆装结构包括第一连接块、卡块、第二连接块和卡槽,所述第一连接块固定于硅晶片主体的一侧,所述第一连接块的一侧固定有卡块,所述第二连接块固定于硅晶片主体的另一侧,所述第二连接块的一侧固定有卡槽,所述硅晶片主体的内部固定有加强结构。
优选的,所述防护结构包括防护套、预留槽、凸块、限位块和限位槽,所述防护套贯穿于硅晶片主体外部的边缘处,所述防护套内部的一侧设置有预留槽,所述凸块固定于硅晶片主体的一侧,所述限位块固定于硅晶片主体的两端。
优选的,所述限位槽设置于防护套内部的两端,所述预留槽的横截大于凸块的横截面,所述限位块的横截面小于限位槽的横截面。
优选的,所述卡块的横截面小于卡槽的横截面,所述卡块和卡槽之间构成卡合结构。
优选的,所述加强结构包括防腐层、金属丝经线、金属丝纬线和加强网,所述防腐层设置于硅晶片主体内部的边缘处,所述金属丝经线固定于硅晶片主体的内部,所述金属丝经线的外部缠绕有金属丝纬线。
优选的,所述加强网固定于硅晶片主体内部的中间位置处,所述金属丝经线和金属丝纬线之间相互编织呈网状结构设计。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:该具有侧边拼接结构的硅晶片不仅实现了可以对硅晶片之间进行拼接安装,便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积,适用性较强,也同时实现了可以对硅晶片主体的边缘处进行防护和加强了硅晶片主体内部的结构强度,提高了硅晶片主体的耐腐蚀性;
(1)通过设置有拆装结构实现了可以对硅晶片之间进行拼接安装,通过第一连接块的一侧固定有卡块,当需要对两片硅晶片主体进行拼接时,把硅晶片主体一侧的卡块对接到另一个硅晶片主体的卡槽的一侧,把卡块插入卡槽的内部,旋转卡块,此时卡块会固定在卡槽的内部,可以对硅晶片之间进行拼接安装,便于根据实际需要增大硅晶片的使用面积,适用性较强;
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