[实用新型]一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置

权利要求书

1.一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，包括反应腔体和与反应腔体连接的气路系统、控制系统、真空系统和尾气处理系统；

所述反应腔体内部悬空水平设置射频电极，所述射频电极连接射频电源的正极，所述反应腔体连接射频电源的负极；所述射频电极下方设置气体混匀器，所述反应腔体的顶盖下方固定两个水平放置的滚轴，两个滚轴之间卷绕有用于沉积薄膜的柔性衬底，所述衬底正面朝向射频电极；两个滚轴之间设置有筒状的气体挡板，所述气体挡板两侧开设缝隙，所述衬底穿过气体挡板上的缝隙；

所述气体混匀器通过反应腔体上的气体入口连接气路系统，所述反应腔体上开设气体出口一连接真空系统；

所述气路系统包括六甲基硅氧烷储罐、氮气储罐、氧气储罐、和四氟化碳储罐，每个储罐分别通过分支管路连接反应腔体前端的主管路，所述主管路连接气体混匀器；

所述真空系统末端连接尾气处理系统。

2.根据权利要求1所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述气体混匀器、射频电极和气体挡板均安装于支架上，所述支架底部固定于反应腔体底部。

3.根据权利要求1所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述六甲基硅氧烷储罐连接的分支管路和氮气储罐连接的分支管路之间设置旁路，所述旁路上设置旁路控制开关。

4.根据权利要求3所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，每个所述分支管路上均分别设置气体流量计和气体流量开关。

5.根据权利要求4所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述控制系统分别控制卷轴、射频电源、真空系统、气体流量计、气体流量开关和旁路控制开关。

6.根据权利要求1所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述尾气处理系统包括水池，所述水池前端通过管路连接真空系统，所述水池末端连接实验室的尾气排放管道。

7.根据权利要求1-6任一所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述反应腔体的顶盖上设置温度传感器，所述温度传感器连接控制系统。

8.根据权利要求1所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述反应腔体的顶盖上设置一圈用于固定密封圈的沟槽。

9.根据权利要求1所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述反应腔体侧壁开设气体出口二，所述气体出口二上设置阀门。

10.根据权利要求1所述的一种柔性类氧化硅薄膜大面积生长装置，其特征在于，所述真空系统包括机械泵、分子泵和真空度控制装置，真空度控制装置位于机械泵和反应腔体之间。