[实用新型]一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构

权利要求书

1.一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，包括N型衬底(1)，所述N型衬底(1)下设有第一金属层(9)，所述N型衬底(1)上设有P型外延(2)，所述P型外延(2)内扩有两个N型阱(3)，所述N型阱(3)从P型外延(2)的顶部沿伸至P型外延(2)的底部，并与N型衬底(1)相连，所述P型外延(2)内扩有P型第一阱区(4)和位于P型第一阱区(4)上面的P型第二阱区(5)，在所述P型外延(2)上覆盖有氧化层(6)，所述氧化层(6)上设有第二金属层(7)，所述第二金属层(7)通过接触孔(10)与P型第二阱区(5)相连。

2.根据权利要求1所述的一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，在所述氧化层(6)及第二金属层(7)上覆盖有钝化层(8)，所述钝化层(8)上开有钝化层孔(11)。

3.根据权利要求1所述的一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述氧化层(6)上的第二金属层(7)的材质为铝硅铜AlSiCu，厚度为4～5um。

4.根据权利要求1所述的一种大通流低钳位的瞬态电压抑制器结构，其特征在于，所述N型衬底(1)背面的第一金属层(9)的材质为钛镍锡银TiNiAgSn。