[实用新型]CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 202021309711.4 | 申请日： | 2020-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN212725310U | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 王强;石文杰 | 申请（专利权）人： | 思特威（上海）电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 张媛 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 | ||
1.一种CMOS图像传感器，包括外围逻辑区和像素区，所述外围逻辑区与所述像素区均包括衬底及位于所述衬底上的多层金属层，其特征在于：
所述像素区的金属层高度与所述外围逻辑区的金属层高度一致，且所述像素区的多层金属层中包括用作结构补偿的虚拟金属层。
2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素区的金属层数大于或等于所述外围逻辑区的金属层数。
3.如权利要求2所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述外围逻辑区的每一层级的金属层的结构与所述像素区的相应层级的金属层的结构相同。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述外围逻辑区的每一层级的金属层的高度与所述像素区的相应层级的金属层的高度一致。
5.如权利要求4所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素区与所述外围逻辑区的多层金属层中均包括芯片内连层及金属布线层。
6.如权利要求5所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素区的底层的金属层的下方设置有电接触优化金属层。
7.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述外围逻辑区与所述像素区均还包括位于衬底中的多个晶体管；
其中，所述外围逻辑区中的多个晶体管包括由所述外围逻辑区的衬底中的N型掺杂层形成的晶体管；
其中，所述像素区中的多个晶体管包括由所述像素区的衬底中的N型掺杂层形成的晶体管。
8.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括位于所述外围逻辑区和所述像素区的顶层的金属层上方的氧化层。
9.如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述像素区的氧化层的上表面设置有微透镜。
10.如权利要求9所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述微透镜下方设置有滤色片。
11.如权利要求8所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述外围逻辑区的氧化层的上表面设置有焊盘区，所述焊盘区用于与外部的元器件电连接；
所述外围逻辑区的顶层的金属层与所述焊盘区电连接。
12.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述虚拟金属层的厚度为4500埃至5500埃之间。
13.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述虚拟金属层的厚度为5000埃。
14.如权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器为前照式CMOS图像传感器，所述多层金属层位于所述衬底的受光面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
