[实用新型]晶圆级封装结构有效
| 申请号： | 202021325364.4 | 申请日： | 2020-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN212084995U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄晗;林正忠;吴政达;陈彦亨 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述晶圆级封装结构包括：
晶圆，所述晶圆包括相对的第一面及第二面，且所述晶圆包括若干TSV，其中，所述晶圆的第一面显露所述TSV的第一端，所述晶圆的第二面显露所述TSV的第二端；
第一重新布线层，所述第一重新布线层位于所述晶圆的第一面上，且与所述TSV的第一端电连接；
第二重新布线层，所述第二重新布线层位于所述晶圆的第二面上，且与所述TSV的第二端电连接；
键合焊盘，所述键合焊盘位于所述第二重新布线层上，且与所述第二重新布线层电连接；
芯片，所述芯片位于所述第二重新布线层上，且所述芯片通过芯片焊盘与所述键合焊盘电连接；
保护层，所述保护层位于所述芯片与所述第二重新布线层之间，且填充所述芯片与所述第二重新布线层之间的间隙；
封装层，所述封装层位于所述第二重新布线层上，且覆盖所述芯片及第二重新布线层。
2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述TSV包括铜TSV、镍TSV、锡TSV及银TSV中的一种。
3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述封装层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种。
4.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述保护层包括环氧树脂层、聚酰亚胺层及硅胶层中的一种。
5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述第一重新布线层及第二重新布线层均包括依次层叠的图形化的介质层及图形化的金属布线层。
6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述介质层包括环氧树脂层、硅胶层、PI层、PBO层、BCB层、氧化硅层、磷硅玻璃层及含氟玻璃层中的一种或组合，所述金属布线层包括铜层、铝层、镍层、金层、银层及钛层中的一种或组合。
7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述芯片包括主动组件及被动组件中的一种或组合。
8.根据权利要求7所述的晶圆级封装结构，其特征在于：所述主动组件包括收发一体芯片及电源管理芯片中的一种或组合，所述被动组件包括电阻、电容及电感中的一种或组合。
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