[实用新型]一种用于降压型DC-DC中的自适应频率补偿电路有效

专利信息
申请号: 202021337565.6 申请日: 2020-07-09
公开(公告)号: CN212969444U 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 李志贞;许美程;沈剑均 申请(专利权)人: 南京集澈电子科技有限公司
主分类号: H02M3/156 分类号: H02M3/156;H02M3/158
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211101 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 降压 dc 中的 自适应 频率 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种用于降压型DC-DC中的自适应频率补偿电路,其特征在于:包括第一MOS管M1,第二MOS管M2,第三MOS管M3,第四MOS管M4,第五MOS管M5,第六MOS管M6,第一电阻R1,第二电阻R2,第三电阻R3,第一运算放大器A1,第一电容Cc;第一电阻R1一端与第一运算放大器A1的正端相连,另一端接地;第一运算放大器A1正端与第一电阻R1相连,负端与第二电阻R2相连,输出端与第一MOS管M1的栅端相连;第二电阻R2的一端与第一运算放大器A1负端相连,同时又与第一MOS管M1的源端相连,另一端与第三电阻R3相连;第三电阻R3一端与第二电阻R2相连,另一端与地相连;第一MOS管M1的栅端与第一运算放大器A1的输出端相连,第一MOS管M1的漏端与第二MOS管M2的漏端相连,第一MOS管M1的源端与第一运算放大器A1的负向输入端相连,同时与第二电阻R2相连;第二MOS管M2的栅端与第一MOS管M1的漏端相连,同时与第三MOS管M3的栅端以及第一MOS管M1的漏端相连,第二MOS管M2的源端与电源相连;第三MOS管M3的栅端与第二MOS管M2的栅端相连,第三MOS管M3的漏端与第四MOS管M4的漏端相连,第三MOS管M3的源端与电源相连;第四MOS管M4的栅端与其漏端相连,同时也与第五MOS管M5的栅端以及第三MOS管M3的漏端相连,第四MOS管M4的源端与地相连;第五MOS管M5的栅端与第四MOS管M4的栅端相连,第五MOS管M5的漏端与第六MOS管M6的漏端以及第一电容Cc相连,第五MOS管M5的源端与地相连;第一电容Cc一端与第五MOS管M5的漏端相连,另一端与第六MOS管M6的漏端相连;第六MOS管M6的栅端与其漏端相连,同时也与第五MOS管M5的漏端以及第一电容Cc相连。

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