[实用新型]绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

漂移区和存储层，自下向上依次形成于衬底中；以及，

多个栅极结构，形成于所述衬底中，所述多个栅极结构包括若干第一栅极结构和若干第二栅极结构，所述第一栅极结构的深度介于所述漂移区的顶面和底面之间，所述第二栅极结构的深度介于所述存储层的顶面和底面之间，并且所述第一栅极结构和所述第二栅极结构按照预设比例排布。

2.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述预设比例为1:3～3:1。

3.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一栅极结构和所述第二栅极结构在所述衬底中交替排布。

4.如权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述第一栅极结构的宽度大于所述第二栅极结构的宽度。

5.如权利要求1～4中任一项所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述多个栅极结构包括覆盖于所述衬底中的沟槽的侧壁和底壁上的栅极介质层和填满所述沟槽的栅极层。

6.如权利要求5所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管还包括形成于所述存储层上的基区，以及形成于所述漂移区底面的缓冲层。

7.如权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管还包括发射区，所述发射区形成于所述基区的顶部且位于所述栅极结构的两侧。

8.如权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管还包括发射极和栅电极，所述发射极形成于所述基区的顶面上，且所述发射极的底部分别与两侧的所述发射区相接；所述栅电极形成于所述栅极层的顶面上。

9.如权利要求8所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述绝缘栅双极型晶体管还包括集电区和集电极，所述集电区形成于所述缓冲层的底面，所述集电极形成于所述衬底的底面上，且所述集电极与所述集电区相接。

10.如权利要求7所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述衬底和所述基区具有第一导电类型，所述缓冲层、所述漂移区、所述存储层和所述发射区具有第二导电类型；当所述第一导电类型为N型时，所述第二导电类型为P型；当所述第一导电类型为P型时，所述第二导电类型为N型。