[实用新型]一种基于555芯片和场效应管的负载短路保护电路有效

专利信息
申请号: 202021340736.0 申请日: 2020-07-10
公开(公告)号: CN212183099U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 朱海燕;马文捷 申请(专利权)人: 广西职业技术学院
主分类号: H02H3/087 分类号: H02H3/087
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 530226 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 555 芯片 场效应 负载 短路 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种基于555芯片和场效应管的负载短路保护电路,其特征是:该保护电路包括场效应管Q1、555芯片U1、二极管D1、电容C1和C2、电阻R1和R2、按键K1、电源输入口Vin和电源输出口Vo,其中555芯片U1的1脚接地,4脚和8脚接二极管D1的负极和电容C1的正极,2脚和6脚接场效应管Q1的源极、电阻R2的一端和电源输出口Vo,3脚接电阻R1的一端,电容C1的负极接地;场效应管Q1的栅极接电阻R1的另一端、电容C2的正极和按键K1的一端,漏极接二极管D1的正极和电源输入口Vin,电容C2的负极和按键K2的另一端接地;场效应管Q1为PMOS功率管。

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