[实用新型]一种微聚超声治疗头

权利要求书

1.一种微聚超声治疗头，包括超声换能器及探头，所述超声换能器与探头间隔设置，其特征在于：所述超声换能器与探头间距为2－5mm，所述超声换能器上方开设有通孔，所述通孔形状与所述探头形状相适配，所述探头用于接收超声换能器发出的超声。

2.如权利要求1所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述超声换能器设有多个温度检测点，所述温度检测点沿所述超声换能器周均匀分布。

3.如权利要求2所述的微聚超声治疗头，其特征在于：还包括传感器，所述传感器靠近所述超声换能器设置。

4.如权利要求3所述的微聚超声治疗头，其特征在于：还包括耦合水囊，所述耦合水囊内置于所述超声换能器。

5.如权利要求1所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述超声换能器包括壳体及内置于所述壳体的第一压电陶瓷晶片层和第二压电陶瓷晶片层，所述第一压电陶瓷晶片层与第二压电陶瓷晶片层间隔设置，且所述第一压电陶瓷晶片层与所述第二压电陶瓷晶片层间距可调节，用于区域聚焦。

6.如权利要求5所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述第一压电陶瓷晶片层与所述第二压电陶瓷晶片层通过胶合连接，所述第一压电陶瓷晶片层相对所述第二压电陶瓷晶片层倾斜设置。

7.如权利要求5所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述第一压电陶瓷晶片层及第二压电陶瓷晶片层均包括贴合于所述壳体内表面的多个压电陶瓷晶片，所述压电陶瓷晶片沿所述壳体周均匀分布。

8.如权利要求6所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述第一压电陶瓷晶片层与所述第二压电陶瓷晶片层之间的倾斜度为30°－45°。

9.如权利要求7所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述压电陶瓷晶片为扇形。

10.如权利要求9所述的微聚超声治疗头，其特征在于：所述超声换能器还包括多个支点，所述支点分布于所述壳体内部。