[实用新型]蚀刻清洗装置

说明书

本实用新型涉及一种蚀刻清洗装置，包括：壳体、喷淋组件和传送组件，壳体包括容纳腔，喷淋组件容置于容纳腔，且喷淋组件在容纳腔作摇摆运动，喷淋组件用于喷射液体；传送组件容置在容纳腔，传送组件用于承载半导体板材，传送组件带动半导体板材在容纳腔移动，喷淋组件朝向半导体板材喷射液体。通过设置喷淋组件作摇摆运动，传输组件带动半导体板材移动，使得喷淋组件喷射的液体能全面覆盖半导体板材，喷淋的方式不需要浸泡半导体板材，能节约液体用量，喷淋的液体用量、喷淋时间等容易控制，容易控制蚀刻的程度，避免半导体板材蚀刻不足或过蚀刻而造成报废。

技术领域

本实用新型涉及半导体制程技术领域，尤其涉及一种蚀刻清洗装置。

背景技术

半导体制程中，蚀刻和清洗是必需的制程步骤。湿法蚀刻是用化学溶液与器件接触，溶解不需要的金属，留下所需的图形的工艺。清洗是使用清洗液将器件上的残留物质去除的工艺。

蚀刻和清洗通常在腔体内进行，现有的蚀刻工艺通常采用将器件浸泡在化学溶液中，清洗则是将器件浸泡在清洗液中。现有的蚀刻清洗所需的化学溶液或清洗液量大，必须漫过器件及支撑器件的结构而使得器件浸泡在液体里。此外，浸泡的工艺也不易控制蚀刻的程度，容易造成蚀刻不足或过蚀刻现象，造成器件报废。

因此，如何节约液体用量，易于控制蚀刻的程度是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种蚀刻清洗装置，旨在解决如何节约液体用量，易于控制蚀刻的程度的问题。

一种蚀刻清洗装置，包括：壳体，所述壳体包括容纳腔；喷淋组件，所述喷淋组件容置于所述容纳腔，且所述喷淋组件在所述容纳腔作摇摆运动；以及传送组件，所述传送组件容置在所述容纳腔，所述传送组件用于承载半导体板材，所述传送组件带动所述半导体板材在所述容纳腔移动，所述喷淋组件用于朝向所述半导体板材喷射液体。

通过设置喷淋组件作摇摆运动，传输组件带动半导体板材移动，使得喷淋组件喷射的液体能全面覆盖半导体板材，喷淋的方式不需要浸泡半导体板材，能节约液体用量，喷淋的液体用量、喷淋时间等容易控制，容易控制蚀刻的程度，避免半导体板材蚀刻不足或过蚀刻而造成报废。

可选的，所述喷淋组件包括喷淋管和设置在所述喷淋管上的多个喷嘴，所述喷淋管和/或多个所述喷嘴作摇摆运动。通过设置喷淋管和/或多个喷嘴作摇摆运动，使得多个喷嘴喷射的液体能覆盖半导体板材的全部区域，能对半导体板材进行全面的蚀刻或清洗。

可选的，所述喷淋组件包括多个并排设置的喷淋管，每个所述喷淋管上均设有多个所述喷嘴。通过设置多个并排设置的喷淋管，多个喷嘴喷射的液体可覆盖更大的面积。

可选的，所述传送组件包括驱动轴、多个滚轮和支撑件，多个所述滚轮与所述驱动轴连接，且多个所述滚轮形成齐平的支撑表面，所述支撑件设置在所述支撑表面，所述半导体板材设置在所述支撑件上，所述驱动轴转动带动所述支撑件移动。通过设置驱动轴转动带动支撑件移动，以带动半导体板材移动，使得半导体板材移动至合适的位置，以便于与喷淋组件喷射的液体更好的配合，使得半导体板材被合理的蚀刻或清洗。

可选的，所述支撑件呈平面网状结构。平面网状结构一方面具有良好的支撑，另一方面，液体可以从平面网状结构中的镂空流下，避免支撑件上滞留的液体太多而造成对半导体板材的过蚀刻现象。

可选的，所述蚀刻清洗装置还包括回收槽，所述回收槽包括容腔，所述传送组件容置在所述容腔，所述喷淋组件喷射的液体流入所述容腔。回收槽用于收集蚀刻或清洗后的液体，便于后续的处理，避免污染环境。

可选的，所述蚀刻清洗装置还包括液体储存器、第一输液管和第二输液管，所述第一输液管的两端分别连通所述容腔和所述液体储存器，所述第二输液管的两端分别连通所述液体储存器和所述喷淋组件。通过设置液体储存器及第一输液管和第二输液管，能将回收槽内的液体收集并再次利用，可节约液体的用量，节约成本。