[实用新型]硅IC-氮化镓混合驱动系统有效
申请号: | 202021364940.6 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN213027983U | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 傅玥;李湛明;吴伟东;刘雁飞 | 申请(专利权)人: | 苏州量芯微半导体有限公司 |
主分类号: | H03K17/56 | 分类号: | H03K17/56 |
代理公司: | 苏州隆恒知识产权代理事务所(普通合伙) 32366 | 代理人: | 周子轶 |
地址: | 215000 江苏省苏州市(江苏)自由贸*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | ic 氮化 混合 驱动 系统 | ||
1.一种硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,包括驱动模块和氮化镓功率器件;
所述驱动模块包括用于输出预设电压的硅IC式线性降压组件和氮化镓单片集成式驱动半桥组件;
所述氮化镓单片集成式驱动半桥组件的输出端与所述氮化镓功率器件的门极电路信号连接,以通过充放电的方式实现对所述氮化镓功率器件的导电性进行调制;
所述硅IC式线性降压组件与所述氮化镓单片集成式驱动半桥组件采用打线连接;
所述驱动模块与所述氮化镓功率器件之间采用共同封装的方式进行配合。
2.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,所述硅IC式线性降压组件与所述氮化镓单片集成式驱动半桥组件之间打线所使用的连接线的长度小于2mm。
3.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,所述驱动模块还包括与所述氮化镓单片集成式驱动半桥组件信号连接的硅IC式欠压锁死组件。
4.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,当所述氮化镓功率器件的门极电压低于其阈值电压时,所述氮化镓功率器件处于断开状态;其中,所述阈值电压在1-2V之间。
5.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,当所述氮化镓功率器件的门极电压高于其阈值电压且达到其工作的预设电压时,所述氮化镓功率器件处于导通状态;其中,所述预设电压在5-7V之间。
6.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,所述氮化镓集成式半桥组件包括两个半桥设置的氮化镓半导体晶体管。
7.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,所述氮化镓功率器件的衬底采用硅材料制成。
8.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,所述氮化镓集成式驱动半桥和所述氮化镓功率器件的晶圆尺寸均为6寸或8寸。
9.如权利要求1所述的硅IC-氮化镓混合驱动系统,其特征在于,所述硅IC式线性降压组件集成在一个芯片上,所述氮化镓功率器件和所述氮化镓单片集成式驱动半桥组件集成在另一个芯片上。
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