[实用新型]一种经颅磁伪刺激拍控制电路有效
申请号: | 202021366152.0 | 申请日: | 2020-07-13 |
公开(公告)号: | CN213252596U | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 蔡宇霄 | 申请(专利权)人: | 蔡宇霄 |
主分类号: | A61N2/04 | 分类号: | A61N2/04 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 徐瑛 |
地址: | 430000 湖北省武汉市洪*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 经颅磁伪 刺激 控制电路 | ||
1.一种经颅磁伪刺激拍控制电路,其特征在于,包括两段相同的刺激线圈、直流电源和控制模块,两段所述刺激线圈同轴间隔设置,其中一段刺激线圈的首端和末端设别设有触头A1和触头A3,另一段刺激线圈的首端和末端分别设有触头A4和触头A5;所述直流电源的正极引出线设有触头B1和触头B5,所述触头B1、触头B5的位置分别与触头A1、触头A5的位置对应;所述直流电源的负极引出线设有触头C3、触头C4和触头C5,所述触头C3、触头C4、触头C5的位置分别与触头A3、触头A4、触头A5的位置对应;所述触头A1、触头A3、触头A4、触头A5上分别设有开关K1、开关K3、开关K4和开关K5;所述开关K1、开关K3、开关K4、开关K5分别与控制模块连接。
2.根据权利要求1所述的一种经颅磁伪刺激拍控制电路,其特征在于,所述开关K3和开关K5均为单刀双掷开关,所述开关K3的静触头与触头A3连接,所述开关K3的动触头在触头A4、触头C3和空位之间切换;所述开关K5的静触头与触头A5连接,所述开关K5的动触头在触头B5、触头C5和空位之间切换。
3.根据权利要求1或2所述的一种经颅磁伪刺激拍控制电路,其特征在于,所述伪刺激拍包括3种配置模式,分别为:100%刺激强度的正常刺激、50%刺激强度的伪刺激以及0刺激强度的伪刺激。
4.根据权利要求1所述的一种经颅磁伪刺激拍控制电路,其特征在于,所述触头A1所在的刺激线圈中段引出触头A2,所述直流电源的负极引出线还设有触头C2,所述触头C2的位置与触头A2的位置对应,所述触头A2上设有开关K2;所述开关K2与控制模块连接。
5.根据权利要求4所述的一种经颅磁伪刺激拍控制电路,其特征在于,所述触头A1、触头A2分割刺激线圈的长度占一段刺激线圈总长度的1/5。
6.根据权利要求5所述的一种经颅磁伪刺激拍控制电路,其特征在于,所述伪刺激拍包括4种配置模式,分别为:100%刺激强度的正常刺激、50%刺激强度的伪刺激、10%刺激强度的伪刺激以及0刺激强度的伪刺激。
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