[实用新型]转移装置以及转移系统

说明书

本实用新型涉及一种转移装置以及转移系统。该转移装置包括：基板，具有凹槽；热膨胀部，位于凹槽内，热膨胀部的与凹槽的底部接触的表面为第一表面，热膨胀部的与第一表面相对的表面为第二表面，在热膨胀部被加热至预定温度时，热膨胀部膨胀，且膨胀后的膨胀部的第二表面高于凹槽两侧的基板的表面。该转移装置无需利用聚二甲基硅氧烷等昂贵材料形成凸块，因此，该转移装置的成本较低，解决了现有技术中的转移装置需要采用聚二甲基硅氧烷形成而导致的成本较高的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域，尤其涉及一种转移装置以及转移系统。

背景技术

Micro-LED显示技术业界目前瓶颈主要在于芯片制作，巨量转移，全彩化显示等。而在巨量转移技术上，现在业内主要采用凡得瓦力印刷技术。

凡得瓦力印刷技术是利用聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，简称PDMS)为介质制作凸块，因PDMS产生的微粘性进行选择性转移，但该种材质较为昂贵，且对工艺平整性要求极高，包含开模费用的市面售价昂贵制。

因此，如何降低转移装置的成本是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种转移装置以及转移系统，旨在解决现有技术中的转移芯片所用的装置需要采用聚二甲基硅氧烷形成而导致的成本较高的问题。

一种转移装置，包括：基板，具有凹槽；热膨胀部，位于所述凹槽内，所述热膨胀部的与所述凹槽的底部接触的表面为第一表面，所述热膨胀部的与所述第一表面相对的表面为第二表面，在所述热膨胀部被加热至预定温度时，所述热膨胀部膨胀，且膨胀后的所述膨胀部的第二表面高于所述凹槽两侧的所述基板的表面。

上述的转移装置中，包括基板和位于基板的凹槽中的热膨胀部，在将芯片放至转移装置的裸露表面上后，对该转移装置中的热膨胀部加热至预定温度，热膨胀部发生膨胀，且膨胀后的上述热膨胀部的第二表面高于上述凹槽两侧的上述基板的表面，这样位于热膨胀部上方的芯片便高于其他位置处的芯片，从而方便将位于热膨胀部上方的这部分芯片转移至预定结构上。因此，该转移装置的热膨胀部在加热至预定温度后，形成凸块，能够实现对其上方的芯片选择性的转移，并且，该转移装置中只需要采用普通的材料形成热膨胀部即可，无需利用聚二甲基硅氧烷等昂贵材料形成凸块，因此，该转移装置的成本较低，解决了现有技术中的转移装置需要采用聚二甲基硅氧烷形成而导致的成本较高的问题。

可选地，所述热膨胀部的材料的热膨胀系数大于所述基板的材料的热膨胀系数。这样就可以对整个转移装置进行加热，即无需仅对热膨胀部进行加热，更便于加热的实施，降低了采用该转移装置实施芯片转移的难度或者复杂度。

可选地，所述凹槽有多个，且多个所述凹槽依次间隔分布，所述热膨胀部一一对应地位于所述凹槽内。这样可以一次性转移更多的芯片。

可选地，在对所述热膨胀部加热之前，所述热膨胀部的第二表面与所述凹槽两侧的所述基板的表面平齐。这样，转移装置在加热前，其表面为平整表面，无需承载芯片的结构特别设计，现有技术中的结构就可以将所有的芯片转移至该平整的表面上，简化了整个转移的准备过程。

可选地，所述热膨胀部与所述凹槽的侧壁之间具有间隔。这样可以进一步保证热膨胀部在加热到预定温度时，达到预定的膨胀效果。

可选地，所述热膨胀部的材料的热膨胀系数与所述基板的材料的热膨胀系数的差值大于10。这样可以进一步保证加热至预定温度后的热膨胀部相对与两侧的基板有较高的突出。

可选地，所述基板为玻璃基板，所述热膨胀部的材料包括铝。选择这两种材料可以进一步保证在对转移装置加热至预定温度后，热膨胀部相对两侧的基板由较高的突出，并且，这两种材料均为较便宜的材料，进一步降低了该转移装置的成本较低。