[实用新型]一种超级电容电压检测装置

权利要求书

1.一种超级电容电压检测装置，其特征在于，包括：第一电阻R1、至少一组光耦继电器，其中，每组光耦继电器包括两路光耦继电器，至少两个采样电阻，电压采样电路、处理电路、A/D采样电路、控制电路、地址拨码开关、通讯电路、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4，控制电路的信号控制输入端与地址拨码开关连接，控制电路的信号控制输出端与处理电路的输入端连接，处理电路的每路输出端分别与每组第一路光偶继电器、第二路光偶继电器的第一输入端连接，每组第一路光偶继电器、第二路光偶继电器的第二输入端通过第一电阻R1接地，第一路光耦继电器的第一输出端通过第一采样电阻与每节超级电容模组的正极连接，第一路光耦继电器的第二输出端与电压采样电路的第一输入端连接，第二路光耦继电器的第一输出端通过第二采样电阻与每节超级电容模组的负极连接，第二路光耦继电器的第二输出端与电压采样电路的第二输入端连接，第一二极管D1的阴极、第二二极管D2的阳极接于电压采样电路的第一输入端，第三二极管D3的阳极、第四二极管D4的阴极接于电压采样电路的第二输入端，第一二极管D1的阳极、第二二极管D2的阴极、第三二极管D3的阴极、第四二极管D4的阳极接地，电压采集电路的输出端与A/D采样电路的输入端连接，A/D采样电路的输出端与控制电路的信号处理输入端连接，控制电路的信号处理输出端通过通讯电路与外部设备连接。

2.根据权利要求1所述的一种超级电容电压检测装置，其特征在于，所述电压采集电路包括第一运算放大器、第二运算放大器、第一电容C1、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第十五电阻R15、滑动电阻W101、第二电容C2、第三电容C3，第一运算放大器的反相输入端、输出端通过第十三电阻R13连接，第一运算放大器的反相输入端通过第一电容C1与第二运算放大器的反相输入端连接，第一运算放大器的反相端为电压采样电路的第一输入端，第二运算放大器的反相端为电压采样电路的第二输入端，第一运算放大器、第二运算放大器的同相输入端接地，第十四电阻R14、第十五电阻R15、滑动电阻W101固定端依次串联，第一运算放大器的输出端与非串联的第十四电阻R14连接，非串联的滑动电阻W101固定端与第二运算放大器的输出端连接，第十四电阻R14与第十五电阻R15的连接点与第二运算放大器的输出端连接，且第二电容C2与串联的第十五电阻R15、滑动电阻W101并联，即第二电容C2的一端接第十五电阻R15的串联端，第二电容C2的另一端接滑动电阻W101的非串联固定端，且与滑动电阻W101的滑动端连接，并为电压采样电路的输出端，第三电容C3的一端与电压采样电路的输出端连接，第三电容C3的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的一种超级电容电压检测装置，其特征在于，所述控制电路包括ARM芯片STM32F302C6及其外围电路，ARM芯片STM32F302C6的第十引脚至第十七引脚为控制电路的信号控制输入端，ARM芯片STM32F302C6的第十八引脚至第二十一引脚为控制电路的信号控制输出端，ARM芯片STM32F302C6的第四十二引脚、第四十三引脚为控制电路的信号处理输入端、ARM芯片STM32F302C6的第三十引脚、第三十一引脚、三十三引脚为控制电路的信号处理输出端。

4.根据权利要求3所述的一种超级电容电压检测装置，其特征在于，所述处理电路包括译码器74HC138及其外围电路，译码器74HC138的第一引脚至三引脚以及第六引脚分别与ARM芯片STM32F302C6的第十八引脚至第二十一引脚连接，译码器74HC138的第十引脚至第十五引脚分别为处理电路的一路输出端。

5.根据权利要求1所述的一种超级电容电压检测装置，其特征在于，所述每组光耦继电器选用芯片AQW214，芯片AQW214包括两路光耦继电器，芯片AQW214的第二引脚、第四引脚分别为第一路光偶继电器、第二路光偶继电器的第一输入端，芯片AQW214的第一引脚、第三引脚分别为第一路光偶继电器、第二路光偶继电器的第二输入端，芯片AQW214的第七引脚为第一路光耦继电器的第一输出端，芯片AQW214的第八引脚为第一路光耦继电器的第二输出端，芯片AQW214的第五引脚为第二路光耦继电器的第一输出端，芯片AQW214的第六引脚为第二路光耦继电器的第二输出端。