[实用新型]一种晶闸管芯片及晶闸管

权利要求书

1.一种晶闸管芯片，其特征在于，包括：

位于阳极P型层之上的N型基区，且位于所述N型基区之上的P型基区；

位于所述P型基区部分区域内且上表面与所述P型基区上表面齐平的阴极N型区，其中所述阴极N型区包括阴极发射N型区和门极N型区；

位于所述阴极发射N型区之上且显露部分所述阴极发射N型区上表面的阴极金属；

位于所述P型基区表面之上且同时与所述P型基区和所述门极N型区接触的放大门极金属，及位于所述P型基区上表面之上且不与所述门极N型区接触的中心门极金属；

位于所述放大门极金属之上指定厚度的第一介质薄膜层；

及所述阳极P型层之下的阳极金属。

2.根据权利要求1所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述第一介质薄膜层厚度远小于所述放大门极金属和所述阴极金属厚度。

3.根据权利要求2所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述第一介质薄膜包括DLC薄膜、氮化硅或氧化硅薄膜中至少一种。

4.根据权利要求3所述的晶闸管芯片，其特征在于，

在未被阴极金属、放大门极金属和中心门极金属覆盖的P型基区上表面还设置有指定厚度的第二介质薄膜层。

5.根据权利要求4所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述第二介质薄膜层厚度远小于所述放大门极金属和所述阴极金属厚度，所述第二介质薄膜包括DLC薄膜；

所述放大门极金属与所述阴极金属厚度相同。

6.根据权利要求5所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述第一介质DLC薄膜层的指定厚度设置为20～300nm；

所述第二介质薄膜层的指定厚度设置为20～500nm。

7.根据权利要求6所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述芯片总厚度设置为1.2mm；

所述放大门极金属与所述阴极金属厚度均设置为30μm。

8.根据权利要求7所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述N型基区的载流子浓度设置为10¹³cm^-3；

所述阳极P型层和P型基区为铝元素掺杂，载流子浓度设置为10¹⁴cm^-3～10¹⁶cm^-3；

所述阴极N型区为磷元素掺杂，载流子浓度设置为10¹⁹cm^-3。

9.根据权利要求8所述的晶闸管芯片，其特征在于，

所述阳极金属、阴极金属和门极金属材质为铝。

10.一种晶闸管，其特征在于，

包括权利要求1至9中任一项的晶闸管芯片。