[实用新型]一种晶片固定装置和晶片预清洁蚀刻设备有效
申请号: | 202021383279.3 | 申请日: | 2020-07-14 |
公开(公告)号: | CN212182299U | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 林俊成;郑耀璿 | 申请(专利权)人: | 鑫天虹(厦门)科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/67 |
代理公司: | 厦门律嘉知识产权代理事务所(普通合伙) 35225 | 代理人: | 温洁;李增进 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 固定 装置 清洁 蚀刻 设备 | ||
本实用新型提出的一种晶片固定装置和晶片预清洁蚀刻设备,其中,所述晶片固定装置包括承载盘、晶片固定环和晶片固定头。所述电极承载盘的顶面为用于承载晶片的承载面。所述晶片固定环环绕所述承载面设置,且所述晶片固定环的顶面的高度低于所述承载面的高度与晶片的厚度之和,当晶片至于所述承载面上时,晶片的上表面高于所述晶片固定环,该方式能够减少扰流的产生。本申请提出的方案能够均匀去除晶片表面的氧化物,且不会过度蚀刻,减少产品发生可靠度风险的疑虑,同时,提高生产率,节省成本。
技术领域
本实用新型涉及一种晶片固定装置和晶片预清洁蚀刻设备。
背景技术
半导体金凸块封装工艺,封装需要对半导体金属块溅镀金属层,在镀金属层之前,需要将晶体表面的氧化物完全蚀刻掉,才能够保证接下来镀的金属镀层与晶片产生最小的接触电阻,以及最好的导电率,如果氧化物没能够完全清除,将导致接触电阻大幅度增高,让晶片的讯号无法传达到外部,导致晶片损坏。为了要均匀去除晶片表面的氧化物,预清洁处过程的蚀刻均匀度就显得非常重要。
目前市面上的蚀刻设备,在预清洁蚀刻晶片时,发现在晶片的边缘存在蚀刻率低,蚀刻均匀度不好的现象,亟需改进。
实用新型内容
为了克服现有技术的缺陷,本实用新型所要解决的技术问题在于提出一种晶片固定装置和晶片预清洁蚀刻设备。
其中,晶片固定装置包括承载盘、晶片固定环和晶片固定头。
所述承载盘的顶面为用于承载晶片的承载面。所述晶片固定环环绕所述承载面设置,且所述晶片固定环的顶面的高度低于所述承载面的高度与晶片的厚度之和。所述晶片固定头安装在所述晶片固定环上,且具有向所述晶片固定环中心延伸的晶片抵压端,用于压住并固定所述承载盘上面的晶片。
优选的,为稳定压住晶片,所述晶片固定头至少三个,且均匀分布在所述晶片固定环上。
优选的,所述晶片固定头上设有螺孔,所述晶片固定环上设有通孔,通过螺钉、螺孔和通孔,将所述晶片固定头固定安装在所述晶片固定环上。
优选的,所述承载盘为下电极承载盘。
优选的,所述承载盘呈台阶型。
优选的,为保护承载盘,尤其是承载面,所述承载盘的承载面的周部环绕设置有边缘保护环,所述边缘保护环的顶面与所述承载面平齐。
优选的,所述边缘保护环上开设有开口朝上的环形槽。
优选的,所述承载盘、晶片固定头和边缘保护环采用陶瓷材料,也可以采用石英或者金属材料。
优选的,所述晶片固定环上开设有穿孔,进一步减少扰流的产生。
优选的,所述晶片固定环通过可升降的支撑柱设置在所述承载盘周部,且通过所述支撑柱在所述承载盘上和工作位置之间往复移动。
一种晶片预清洁蚀刻设备,包括上述的一种晶片固定装置,还包括机架和设置在机架上的真空抽气装置、上电极线圈、气体流量及压力控制装置。
本实用新型的有益效果为:
1、能够有效减少扰流的产生;
2、能够均匀去除晶片表面的氧化物,且不会过度蚀刻,减少产品发生可靠度风险的疑虑;
3、不过度蚀刻能够有效减少晶片蚀刻时间,提高生产率,节省成本。
附图说明
图1是晶片固定装置的结构示意图(轴侧视图);
图2是晶片固定装置的结构示意图(正视图);
图3是晶片固定装置的结构示意图(俯视图);
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鑫天虹(厦门)科技有限公司,未经鑫天虹(厦门)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202021383279.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种穿板防水USB 3.1 Type C连接线
- 下一篇:一种新型地面电缆
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造