[实用新型]一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器有效
| 申请号： | 202021383921.8 | 申请日： | 2020-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN212161838U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赵岩;申硕;尤立鹏;李晓波;李婷婷 | 申请（专利权）人： | 同辉电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105;H01L31/0224;H01L31/024;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙) 13115 | 代理人： | 刘陶铭 |
| 地址： | 050200 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 algan 基石 模板 紫外 探测器 | ||
【权利要求书】：
1.一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器，包括衬底(1)，其特征在于，所述的紫外探测器还包括依次设置于衬底(1)上的AlGaN/AlN超晶格层(2)、i型Alx1Ga1-x1N本征层(3)及异质结pin结构层，x1＜1，所述的衬底(1)与AlGaN/AlN超晶格层(2)之间设置有石墨烯模板散热层(5)，所述的异质结pin结构层两侧及其顶部分别设置有n型电极(6)和p型电极(7)。
2.根据权利要求1所述的一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器，其特征在于，所述的石墨烯模板散热层(5)的厚度为10nm-150nm。
3.根据权利要求1所述的一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器，其特征在于，所述的异质结pin结构层包括n型Al0.45Ga0.55N层(8)、渐变n型Alx2Ga1-x2N层(9)、i型Al0.38Ga0.62N层(10)、p型Al0.38Ga0.62N层(11)、p型Alx2Ga1-x2N缓冲层(12)及p型GaN层(4)，所述的n型电极(6)位于渐变n型Alx2Ga1-x2N层(9)两侧，所述的p型电极(7)位于p型GaN层(4)上，0.38x20.45。
4.根据权利要求1所述的一种AlGaN基石墨烯模板紫外探测器，其特征在于，所述的衬底(1)为蓝宝石衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
