[实用新型]一种低氯高纯二氧化锗制备系统

说明书

本实用新型公开了一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体，所述壳体的内壁固定连接有横板，所述壳体顶部的右侧固定连通有进料管，所述壳体的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机转轴的底部贯穿至壳体的内腔并固定连接有转杆，所述转杆的表面固定连接有搅拌板，所述壳体顶部的左侧固定连接有双氧水箱，所述壳体顶部的右侧固定连接有氨水箱，所述双氧水箱和氨水箱的顶部均固定连通有加液管，所述双氧水箱左侧的底部和氨水箱右侧的底部均固定连通有弯管。本实用新型解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子的问题。

技术领域

本实用新型涉及二氧化锗制备技术领域，具体为一种低氯高纯二氧化锗制备系统。

背景技术

二氧化锗分子式二氧化锗，物理性状为白色粉末或无色结晶，目前广泛应用于红外探测，光纤掺杂等高科技领域与国防领域，同时也可用于光谱分析及半导体材料等方面，是一种具有极高应用价值的战略物质，制备二氧化锗的主要方法有两种：一为火法工艺，即在电弧炉内通入氧气，高温氧化锗粉从而制得二氧化锗，火法技术具有以下缺点：电弧炉造价高昂，一台电弧炉往往造价数十万以上，小型企业无力承担，火法工艺能源消耗高，使用成本昂贵，通入的氧气为4N(99.99％)或者5N(99.999％)的高纯氧气，成本昂贵，二为湿法工艺，即水解四氯化锗，然后高温裂解，湿法技术也具有以下缺点：四氯化锗的成本昂贵，四氯化锗的主流制备方法是用锗与氯气在加热条件下合成，其成本高昂，且污染很大，对操作人员有危害，四氯化锗的熔点为-49.5°C，常温下为发烟液体，极易挥发，且有剧毒，对操作人员有危害，采用四氯化锗制备得到的二氧化锗中的氯离子含量高，这对二氧化锗的性能影响大，总的来说现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低氯高纯二氧化锗制备系统，具备成本低廉、流程简单、对环境与操作人员友好、工艺周期短、得到的二氧化锗纯度高、白度高和不含氯离子的优点，解决了现有的二氧化锗制备系统成本较高，流程复杂，对环境与操作人员不友好，工艺周期长，得到的二氧化锗纯度低，白度低，含有大量氯离子的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低氯高纯二氧化锗制备系统，包括壳体，所述壳体的内壁固定连接有横板，所述壳体顶部的右侧固定连通有进料管，所述壳体的顶部固定连接有第一电机，所述第一电机转轴的底部贯穿至壳体的内腔并固定连接有转杆，所述转杆的表面固定连接有搅拌板，所述壳体顶部的左侧固定连接有双氧水箱，所述壳体顶部的右侧固定连接有氨水箱，所述双氧水箱和氨水箱的顶部均固定连通有加液管，所述双氧水箱左侧的底部和氨水箱右侧的底部均固定连通有弯管，所述弯管远离双氧水箱和氨水箱的一端分别与壳体两侧的顶部固定连通，所述弯管的表面设置有第一电磁阀，所述壳体内腔左侧的顶部固定连接有过滤网，所述过滤网的底部与横板顶部的左侧固定连接，所述壳体左侧的顶部固定连通有U型管，所述U型管的一端与壳体左侧的底部固定连通，所述U型管的表面设置有第二电磁阀，所述壳体表面的底部固定套设有罩体，所述罩体顶部的左侧固定连通有进油管，所述壳体两侧的底部均固定连接有加热丝，所述壳体内腔顶部的右侧固定连接有第一温度传感器，所述壳体内腔右侧的底部固定连接有第二温度传感器，所述壳体右侧的底部固定连通有排气管，所述排气管的表面设置有第三电磁阀，所述壳体的左侧固定连通有进气管，所述进气管的表面设置有第四电磁阀，所述壳体的底部固定连通有排料管，所述排料管的表面设置有第一阀门，所述壳体的底部固定连接有支腿。

优选的，所述罩体左侧的底部固定连接有第二电机，所述第二电机转轴的右端贯穿至罩体的内腔并固定连接有横杆，所述横杆的右端贯穿至壳体的内腔并通过密封轴承与壳体内腔右侧的底部活动连接，所述横杆位于壳体一端的表面固定连接有搅拌杆。

优选的，所述横杆和壳体之间设置有密封轴承，密封轴承套设在横杆的表面，所述罩体的左侧开设有与第二电机转轴相适配的第一通孔，第二电机转轴的直径小于第一通孔的直径。