[实用新型]一种改进型帘栅薄膜电容结构有效

专利信息
申请号: 202021389467.7 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN212516928U 公开(公告)日: 2021-02-09
发明(设计)人: 任猛;石珺磊;李丹;王晶;王艳;鲁修琼;郭淼;高梓轩 申请(专利权)人: 任猛;石珺磊;李丹;王晶;王艳;鲁修琼;郭淼;高梓轩
主分类号: H01G4/002 分类号: H01G4/002;H01G4/224;H01G4/33
代理公司: 天津煜博知识产权代理事务所(普通合伙) 12246 代理人: 朱维
地址: 050000 河北省石家庄市桥*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 改进型 薄膜 电容 结构
【权利要求书】:

1.一种改进型帘栅薄膜电容结构,包括高压电容保护壳(1),其特征在于:所述高压电容保护壳(1)的内部设置有帘栅薄膜本体(3),所述高压电容保护壳(1)的上表面与下表面均固定连接有紫铜基板(2)。

2.根据权利要求1所述的一种改进型帘栅薄膜电容结构,其特征在于:所述紫铜基板(2)的形状为环形,所述紫铜基板(2)的厚度为三毫米。

3.根据权利要求1所述的一种改进型帘栅薄膜电容结构,其特征在于:所述高压电容保护壳(1)采用绝缘材料制成,所述高压电容保护壳(1)的形状为环形,所述高压电容保护壳(1)与帘栅薄膜本体(3)与紫铜基板(2)的圆心位于同一位置。

4.根据权利要求1所述的一种改进型帘栅薄膜电容结构,其特征在于:所述紫铜基板(2)的外径小于帘栅薄膜本体(3)的外径,所述紫铜基板(2)的内径小于帘栅薄膜本体(3)的内径。

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