[实用新型]一种超高频局部放电传感器

权利要求书

1.一种超高频局部放电传感器，其特征在于，包括外壳(1)，嵌于外壳(1)内的天线板(2)，搭载于天线板上的高频天线，固定于外壳(1)内并与天线连接的低噪声放大器(3)，以及固定于外壳(1)内并与低噪声放大器(3)相连的检波器(4)；

所述检波器的检波电路包括芯片U1，与芯片U1的INHI引脚相连的电容C1，与芯片U1的INLO引脚相连的电容C2，连接于电容C1的另一端与电容C2的另一端之间的电阻R1，与电阻R1和电容C1的公共端相连的SMA接口J1，并联后一端与芯片U1的ENBL引脚、两个VPSI引脚相连且另一端接地的电容C7、C8，与芯片U1的VOUT引脚相连的SMA接口J2，一端与芯片U1的TADJ引脚相连且另一端与芯片U1的VSET引脚相连的电阻R4，一端与芯片U1的CLPF引脚相连且另一端与芯片U1的VSET引脚相连的电容C9，与芯片U1的VPSO引脚相连电容C6、电阻R5，与电阻R5的另一端相连的电容C5，以及与电阻R5和电容C5的公共端、芯片U1的ENBL引脚相连的电源供电电路；其中，SMA接口J1、SMA接口J2、电阻R1与电容C2的公共端、电阻R4、电容C9的公共端、电容C6的另一端、电容C5的另一端均接地，U1的VSET引脚与芯片U1的VOUT引脚相连并作为电压信号输出端，直接连接外部的测量系统。

2.根据权利要求1所述的一种超高频局部放电传感器，其特征在于，所述供电电路包括稳压芯片U2，一端与稳压芯片U2的IN引脚相连且另一端接地的电容C3，负极与稳压芯片U2的IN引脚且正极连接接线端口P1的二极管D1，与稳压芯片U2的两个OUT引脚均相连的电容C4、电阻R6、电感L3，正极与电阻R6另一端相连且负极接地的发光二极管D2，以及一端与电感L3另一端相连且负极接地的电容C10；其中，电容C4的另一端接地，电感L3与电容C10的公共端与电阻R5和电容C5的公共端、芯片U1的ENBL引脚相连。

3.根据权利要求2所述的一种超高频局部放电传感器，其特征在于，所述低噪声放大器的放大电路包括型号为CMA-83LN+的低噪放芯片U3，一端与低噪放芯片U3的第2引脚相连且另一端接地的电感L1，与低噪放芯片U3的第2 引脚相连的信号接收端，与低噪放芯片U3的第2引脚相连的电容C3、电感L2，与电感L2的另一端相连的电容C1、C2，以及与电容C3另一端相连的信号发射端；其中，电容C1、C2的另一端接地，电容C2与电感L2的另一端外接电源。

4.根据权利要求1所述的一种超高频局部放电传感器，其特征在于，所述外壳(1)底面左右两侧预留有固定安装孔(5)。