[实用新型]具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件有效
| 申请号： | 202021391765.X | 申请日： | 2020-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN212542442U | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 朱永斌;邱嘉龙;李志军;何祖辉;邱秀华 | 申请（专利权）人： | 浙江天毅半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589 | 代理人： | 曹玉清 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽 沟槽 igbt 器件 | ||
1.具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，包括导电漂移区(1)，其特征在于：所述导电漂移区(1)的底部固定连接有导电衬底(4)，所述导电衬底(4)的底部固定连接有保护层(3)，所述保护层(3)包括集电极金属引出极(14)，所述集电极金属引出极(14)的底部固定连接有缓冲层(13)，所述缓冲层(13)的底部固定连接有绝缘基底层(12)，所述导电漂移区(1)的顶部从左至右依次镶嵌有四个控制栅氧化层(5)，外侧两个控制栅氧化层(5)的内腔设置有栅极发射氧化层(6)，所述栅极发射氧化层(6)的顶部固定连接有栅极发射引出电极(11)，内侧两个控制栅氧化层(5)的内腔设置有栅极接收氧化层(10)，所述栅极接收氧化层(10)的顶部固定连接有栅极接收引入电极(8)，所述栅极发射引出电极(11)和栅极接收引入电极(8)的顶部均固定连接有导电块(7)，相邻两个导电块(7)的顶部横向固定连接有导电桥架(15)，所述导电漂移区(1)顶部表面的中心处镶嵌有导电掺杂区(9)，内侧相邻两个控制栅氧化层(5)相对应的一侧横向固定连接有导电类型的载流子埋层(2)，所述导电漂移区(1)顶部表面的两侧且位于导电桥架(15)的底部和两个导电块(7)之间填充有场氧化层(18)，所述场氧化层(18)上贯穿镶嵌有屏蔽栅多晶硅(16)，所述导电漂移区(1)顶部表面的两侧且位于导电桥架(15)的顶部和导电块(7)的外侧固定连接有绝缘盖板(17)。
2.根据权利要求1所述的具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其特征在于：所述集电极金属引出极(14)的顶部与导电漂移区(1)的底部固定连接。
3.根据权利要求1所述的具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其特征在于：所述栅极发射氧化层(6)和栅极接收氧化层(10)顶部的表面与导电漂移区(1)顶部的表面在同一条直线上。
4.根据权利要求1所述的具有屏蔽栅的沟槽型IGBT器件，其特征在于：所述栅极发射引出电极(11)和栅极接收引入电极(8)的顶部凸出导电漂移区(1)。
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