[实用新型]一种散热好的MOS管结构有效

专利信息
申请号: 202021394434.1 申请日: 2020-07-15
公开(公告)号: CN212230420U 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 韩朝鹏 申请(专利权)人: 深圳市优一达电子有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L23/467
代理公司: 深圳市创富知识产权代理有限公司 44367 代理人: 钟文翰
地址: 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 散热 mos 结构
【权利要求书】:

1.一种散热好的MOS管结构,包括MOS管本体(12),其特征在于:所述MOS管本体(12)的下表面固定安装有底座(7),所述底座(7)的下表面固定安装有引脚(8),所述引脚(8)的一端固定安装有接头(9),所述引脚(8)的外侧固定安装有保护套(10),所述MOS管本体(12)的外侧固定安装有散热箱(5),所述散热箱(5)的内部固定安装有散热板(16),所述散热板(16)的一侧固定安装有通孔(25),所述散热箱(5)的一侧固定安装有第一马达(6),所述第一马达(6)的输出端连接有第一转动轴(18),所述第一转动轴(18)的一端固定安装有第一固定块(17),所述第一固定块(17)的外侧固定安装有第一扇叶(19),所述散热箱(5)的另一侧固定安装有第二散热孔(24)。

2.根据权利要求1所述的一种散热好的MOS管结构,其特征在于:所述散热箱(5)的一侧固定安装有第二马达(11),所述第二马达(11)的输出端连接有第二转动轴(20),所述第二转动轴(20)的一端固定安装有第二固定块(22),所述第二固定块(22)的外侧固定安装有第二扇叶(21)。

3.根据权利要求1所述的一种散热好的MOS管结构,其特征在于:所述MOS管本体(12)的一侧固定安装有第一散热孔(4),所述MOS管本体(12)的一端固定安装有第一支撑板(2),所述第一支撑板(2)的下表面固定安装有第一升降装置(3)。

4.根据权利要求1所述的一种散热好的MOS管结构,其特征在于:所述MOS管本体(12)的另一端固定安装有第二支撑板(14),所述第二支撑板(14)的下表面固定安装有第二升降装置(13)。

5.根据权利要求3所述的一种散热好的MOS管结构,其特征在于:所述第一升降装置(3)的下表面固定安装有盖板(1),所述盖板(1)的下表面固定安装有凸起块(15),所述散热箱(5)的上表面固定安装有凹槽(23)。

6.根据权利要求1所述的一种散热好的MOS管结构,其特征在于:所述保护套(10)的数量为三个,所述引脚(8)和接头(9)的数量与保护套(10)的数量一致。

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