[实用新型]晶圆处理装置

说明书

该实用新型涉及一种晶圆处理装置，包括：壳体；背板，设置于所述壳体下表面，表面设置有多个通孔；薄膜，包裹所述背板，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述壳体内，且所述薄膜夹与所述背板相接触，所述薄膜夹在背板上的投影面积至少大于预设值；气囊，设置于所述壳体内，并位于所述薄膜外部，位于所述薄膜夹上方，用于产生形变以控制所述薄膜夹给所述背板施力。

技术领域

本实用新型涉及半导体生产制造领域，具体涉及一种晶圆处理装置。

背景技术

在半导体制备的过程中，经常需要进行对形成的半导体器件表面的不平整区域进行研磨，使所述半导体器件表面平整。现有技术中，通常是采用CMP(Chemical mechanicalpolishing，化学机械研磨)技术来对半导体器件表面进行平坦化。

采用CMP技术对半导体器件表面进行平坦化时，很容易生产出一些表面不够平整，尤其是边缘翘起的半导体器件，这会导致该半导体器件的良率下降，并导致后续的流程无法继续，无法连续作业，有效产出被降低，并且还有可能导致耗材的更换频率增加。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆处理装置，能够提高晶圆生产时的良率，提高有效产出。

为了解决上述问题，以下提出了一种晶圆处理装置，包括：壳体；背板，设置于所述壳体下表面，表面设置有多个通孔；薄膜，包裹所述背板，用于与待处理的晶圆相接触，且所述薄膜可根据通入所述壳体内的第一气体的变化而发生形变；薄膜夹，设置于所述薄膜内，用于将所述薄膜安装至所述壳体内，且所述薄膜夹与所述背板相接触，所述薄膜夹在背板上的投影面积至少大于预设值；气囊，设置于所述壳体内，并位于所述薄膜外部，位于所述薄膜夹上方，用于产生形变以控制所述薄膜夹给所述背板施力。

可选的，所述薄膜被设置为吸附晶圆时抽真空，使所述通孔处的薄膜内陷于所述通孔内，所述通孔均匀的分布于所述背板表面。

可选的，所述气囊呈环形，且所述气囊所在平面平行于所述背板。

可选的，所述薄膜夹与所述气囊的形状相同，且所述气囊与所述薄膜在所述背板上的投影的中心重合。

可选的，所述薄膜夹包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶与所述第二台阶的底面位于同一平面上并相互连接，且所述第一台阶的上表面与所述第二台阶的上表面之间具有高度差，所述高度差至少为3mm。

可选的，所述第一台阶和第二台阶为一体化结构，且所述第一台阶的厚度至少为3mm。

可选的，所述薄膜夹呈环形，且所述薄膜夹的宽度至少为20mm。

可选的，所述第一台阶靠近所述第二台阶的区域设置有沟槽。

可选的，所述沟槽设置在所述第一台阶的上表面，且所述沟槽的宽度小于2mm，深度小于1mm。

该实用新型的晶圆处理装置包括薄膜夹，且所述薄膜夹在背板上的投影面积至少大于预设值，这样，保证了所述薄膜夹向所述晶圆施力时具有足够大的作用面积，能够有效的保证晶圆的平坦化效果，防止由于晶圆的边界被施加的力不够而导致的边缘翘起。

附图说明

图1为本实用新型的一种具体实施方式中的晶圆处理装置的结构示意图；

图2为本实用新型的一种具体实施方式中的晶圆处理装置的局部放大示意图；

图3为本实用新型的一种具体实施方式中的薄膜夹的俯视示意图；

图4为本实用新型的一种具体实施方式中的薄膜夹的剖面示意图；

图5为本实用新型的一种具体实施方式中的薄膜夹的剖面示意图。