[实用新型]一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源

权利要求书

1.一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，包括启动电路模块、电流源模块、有源负载模块和电源电压，其特征在于：所述启动电路模块、电流源模块和有源负载模块之间依次连接；

所述启动电路模块用于将电路保持在适当的工作点，并确保电路始终可以达到稳定状态；

所述电流源模块在不使用器件的情况下，用于产生一个与电子迁移率和温度平方成正比的偏置电流，且偏置电流小，使得电流消耗的功率小；

所述有源负载模块通过引入负反馈产生低电压线性度和高电源抑制比的输出基准电压。

2.如权利要求1所述的一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，其特征在于：所述启动电路模块包括PMOS管M14、NMOS管M15、M16和M17，所述启动电路中的M14的漏极和源极均与电源电压相连，M14的栅极与M15和M16的栅极相连，M15和M16的漏极相连，并引出作为启动电路的第一输出端为电流源模块提供启动信号，M15和M16的源极与分别引出作为启动信号的第二和第三输出端与电流源模块相连，M17的漏极和M14的栅极相连，M17的栅极与输出基准电压VREF相连，M17的源极接地。

3.如权利要求2所述的一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，其特征在于：所述电流源模块包括运算放大器，PMOS管M9、M10、M11、NMOS管M1、M2、M3和M4，所述M9、M10和M11构成电流镜，即M9的漏极和栅极相连，M9，M10，M11的源极与电源电压相连，M9，M10，M11的栅极相连，且与运算放大器OP-AMP相连，同时与启动电路的第一输出端相连，并引出到有源负载模块，所述M1、M2和M4均为二极管连接，即M1、M2和M4各自的栅极和漏极连接在一起，M1的漏极与M9的漏极连接，M1的源极与M2的漏极相连，M2的栅极和M1的漏极相连，M2的源极接地，M3的源极与M2的漏极相连，M3的栅极和运算放大器OP-AMP的正相输入端相连，M3的漏极与启动电路的第二输出端相连，M4的栅极与运算放大器OP-AMP的反相输入端相连，且与启动电路的第三输出端相连，M4的漏极与M11的漏极相连，M4的源极接地。

4.如权利要求3所述的一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，其特征在于：所述电流源模块中M2、M4、M9、M10和M11工作在亚阈值区，M1和M3工作在饱和区。

5.如权利要求4所述的一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，其特征在于：所述有源负载模块包括PMOS管M12、M13、NMOS管M5、M6、M7和M8，M12和M13作为有源负载模块的输出端与电流源模块中M9，M10，M11的栅极相连，构成电流镜，M12和M13的源极与电源电压相连，M12的漏极与M5的漏极相连，M13的漏极与M7的漏极相连，M5的栅极与M7的栅极相连，M5的源极与M6的漏极相连，M6的源极接地，M6和M7均为二极管连接，即M6和M7各自的漏极与栅极连接在一起，M7的源极和M8的漏极相连，且作为有源负载模块的输出端，同时也是整个电压基准源的输出端VREF，M8的栅极与M6的栅极相连，M8的源极接地。

6.如权利要求5所述的一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，其特征在于：所述有源负载模块中PMOS管M12、M13、NMOS管M5、M6、M7和M8均工作在亚阈值区。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的一种带有负反馈的高性能CMOS电压基准源，其特征在于：所述电源电压的范围为0.95V-3V。