[实用新型]一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪

权利要求书

1.一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，包括激光分析仪，其特征在于：所述激光分析仪是由接收板(1)、激光管(3)和控制主机(2)组成，所述接收板(1)的上端面设置有氮气罐(5)，接收板(1)的左侧设置有调温箱(6)，接收板(1)的右侧插接有中转管(4)，所述调温箱(6)的左侧上端插接有进气管(7)，调温箱(6)的内腔设置有向下延伸的折叠管(11)，调温箱(6)的右侧下端设置有出气管(8)，所述出气管(8)连通接收板(1)，且出气管(8)的右侧设置有第一电磁阀(9)，出气管(8)的中间段上端插接有温度计(10)，所述中转管(4)的内腔设置为调节内腔(29)，中转管(4)的右侧连通激光管(3)，所述调节内腔(29)的内腔左侧固定安装有驱动电机(18)，调节内腔(29)的内腔右侧中间安装有灯箱(21)，所述驱动电机(18)的右侧转动安装有封闭扇叶(20)，所述灯箱(21)的外壁通过圆周阵列分布的若干扇形连杆(22)固定焊接在调节内腔(29)的内壁，圆周阵列分布的一对相邻所述扇形连杆(22)之间留有扇形进气孔(27)，所述激光管(3)的右侧连通控制主机(2)，激光管(3)的下端右侧竖直设置有出气口(23)，所述控制主机(2)的左侧位于激光管(3)内腔的位置设置有接收端子(24)。

2.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述接收板(1)的左侧下端竖直输入接口，接收板(1)的右侧中间设置有输出接口，且接收板(1)的输入接口连通出气管(8)，接收板(1)的右侧输出接口连通调节内腔(29)。

3.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述调温箱(6)的内腔填充有调温水，且调温箱(6)的上端竖直设置有出水口(13)，调温箱(6)的下端面中间设置有进水口(12)，所述进水口(12)与出水口(13)均连通调温箱(6)的内腔。

4.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述中转管(4)的中间段上端外壁设置有外接接口(15)，所述外接接口(15)的上端插接有导气管(14)，所述导气管(14)的另一端连通氮气罐(5)，导气管(14)的中间段外壁设置有第二电磁阀(16)。

5.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述中转管(4)的左右两端均固定焊接有法兰盘(26)，所述法兰盘(26)的端面设置有圆周阵列分布的四个螺钉孔(25)，法兰盘(26)与接收板(1)、激光管(3)之间通过锁紧螺钉(17)固定密封连接。

6.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述封闭扇叶(20)的扇叶之间的留有扇形贯穿槽(31)，所述扇形贯穿槽(31)的内轮廓小于扇形贯穿槽(31)的内轮廓。

7.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述驱动电机(18)的右侧转动连接有电机转轴(19)，所述封闭扇叶(20)固定套接在电机转轴(19)的外壁，所述电机转轴(19)的端部设置有转杆(30)，所述转杆(30)延伸至灯箱(21)的左侧内腔，且转杆(30)与灯箱(21)的内壁之间通过轴承转动连接。

8.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述灯箱(21)的右侧设置有激光光源(28)，所述激光光源(28)的右侧正对激光管(3)的内腔，且激光光源(28)的右侧正对接收端子(24)，所述接收端子(24)为光电二极管。

9.根据权利要求1所述的一种基于半导体激光吸收光谱DLAS技术的激光分析仪，其特征在于：所述控制主机(2)内设置有激光分析模块和激光光谱模块，控制主机(2)电性连接接收端子(24)和灯箱(21)。