[实用新型]分区吸附的晶圆加热装置及具有其的多工位点胶机有效
申请号: | 202021419019.7 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN212750843U | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 郜福亮;林翔;周典虬;黄国伟;樊建 | 申请(专利权)人: | 常州铭赛机器人科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;B05C13/02;B05C5/02 |
代理公司: | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 赵旭 |
地址: | 213100 江苏省常州市武进*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分区 吸附 加热 装置 具有 多工位点胶机 | ||
1.一种分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,包括:
底座;
加热器,所述加热器设于所述底座,所述加热器的上表面形成为加热面,所述加热面设有至少两个能对不同尺寸的晶圆进行加热的加热区,每个所述加热区分别设有至少一个真空吸附孔;
真空吸附装置,所述真空吸附装置与所述真空吸附孔连通以在所述晶圆位于所述加热器上时固定所述晶圆。
2.根据权利要求1所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热器形成为圆形,所述加热面上设有至少两个加热区,至少两个所述加热区沿所述加热器的径向排布。
3.根据权利要求2所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热面上设有多个沿其周向延伸且在径向上间隔开分布的环形凹槽,所述环形凹槽内设有所述真空吸附孔。
4.根据权利要求3所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,每个所述加热区分别设有多个所述环形凹槽,每个所述环形凹槽内分别设有一个所述真空吸附孔,每个所述加热区内的多个所述真空吸附孔在同一条直线上。
5.根据权利要求4所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,不同的所述加热区的多个所述真空吸附孔之间相连而成的直线互相平行。
6.根据权利要求5所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,所述真空吸附装置包括多个真空吸附管,多个所述真空吸附管间隔开且平行设于所述加热器下方,每个所述真空吸附管上分别设有与对应的所述真空吸附孔连通的通气孔。
7.根据权利要求4所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,所述加热面上设有三个所述加热区,三个所述加热区依次沿所述加热器的径向排布。
8.根据权利要求7所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,每个所述加热区分别设有三个所述环形凹槽。
9.根据权利要求7所述的分区吸附的晶圆加热装置,其特征在于,三个所述加热区中相邻两个所述加热区上的所述真空吸附孔交错布置。
10.一种多工位点胶机,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的分区吸附的晶圆加热装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造