[实用新型]一种IGBT模块有效
申请号: | 202021425849.0 | 申请日: | 2020-07-17 |
公开(公告)号: | CN212991083U | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 刘惠銮 | 申请(专利权)人: | 刘惠銮 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L29/739 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 周燕君 |
地址: | 515146 广东省汕*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt 模块 | ||
本实用新型提供了一种IGBT模块,包括底座、固定于底座上的壳体以及安装于底座上且位于底座与壳体之间的空腔的IGBT芯片,还包括伸缩导热管件和散热装置;伸缩导热管件用于套设在壳体上;伸缩导热管件包括第一管体、第二管体、第一伸缩管、第二伸缩管和弹性连接件;第一管体和第二管体与壳体接触;第一伸缩端口与第一端口连通,第二伸缩端口与第三端口连通,第一伸缩管同时连接在第一管体和第二管体上;第二伸缩端口具有第三伸缩端口和第四伸缩端口;第三伸缩端口与第二端口连通,第二伸缩端口与第四端口连通,第二伸缩管同时连接在第一管体和第二管体上;弹性连接件连接在第一管体和第二管体之间,达到对IGBT模块进行散热的目的。
技术领域
本实用新型属于功率模块技术领域,更具体地说,是涉及一种IGBT模块。
背景技术
随着电子技术的发展,功率模块被广泛地应用于各种电子产品中,尤其是IGBT模块,其广泛地应用于带有开关电源的控制器以及电动汽车控制器等各个领域。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是一种复合型电力电子器件,从结构上说,相当于一个有MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field EffectTransistor,金属-氧化物-半导体场效晶体管)驱动的厚基区的BJT(Bipolar JunctionTransistor,双极结型晶体管),IGBT既有MOSFET的快速响应、高输入阻抗、热稳定性好、驱动电路简单的特性,也具备BJT的电流密度高、通态压降低,耐压高的特性,被广泛应用于电力电子设备中。
现有的IGBT模块包括壳体、固定于壳体内的底座及安装在底座的顶面处的包含IGBT芯片的电子元器件,底座的顶面设置有多组与IGBT芯片相对应的正电极与正电极相对应的负电极。底座的边缘处设置有若干个安装孔及穿过安装孔用于将底座固定于壳体内的固定件,底座的顶面还设置有若干个凹槽,每个凹槽位于一安装孔与电子元器件之间。底座的顶面设置有多个绝缘的隔离层,每个隔离层位于底座上的IGBT芯片的正电极和负电极之间。
但是,现有的IGBT模块在通电使用的过程中,容易产生大量的热量,进而影响IGBT模块自身的性能。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:针对现有的IGBT模块在通电使用的过程中,容易产生大量的热量,进而影响IGBT模块自身的性能的技术问题,提供一种IGBT模块。
为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案是:提供一种IGBT模块,包括底座、固定于所述底座上的壳体以及IGBT芯片,所述IGBT芯片安装在所述底座与所述壳体之间形成的空腔中,所述IGBT模块还包括伸缩导热管件和散热装置,所述伸缩导热管件套设在所述壳体上;
所述伸缩导热管件包括第一管体、第二管体、第一伸缩管、第二伸缩管和弹性连接件;
所述第一管体和所述第二管体与所述壳体接触;
所述第一管体具有第一端口和第二端口;
所述第二管体具有第三端口和第四端口;
所述第一伸缩管具有第一伸缩端口和第二伸缩端口;
所述第一伸缩端口与所述第一端口连通,所述第二伸缩端口与所述第三端口连通,所述第一伸缩管同时连接在所述第一管体和所述第二管体上;
所述第二伸缩端口具有第三伸缩端口和第四伸缩端口;
所述第三伸缩端口与所述第二端口连通,所述第二伸缩端口与所述第四端口连通,所述第二伸缩管同时连接在所述第一管体和所述第二管体上;
所述弹性连接件连接在所述第一管体和所述第二管体之间,所述弹性连接件用于提供所述第一管体和所述第二管体相互靠近的弹力;
所述散热装置连接所述第一管体及第二管体的至少一个,所述第一伸缩管、所述第二伸缩管和所述弹性连接件。
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