[实用新型]ALD镀膜反应腔

说明书

一种ALD镀膜反应腔，其包括内腔体及外腔体，所述内腔体容纳于所述外腔体中，所述内腔体连接一个第一抽真空口，所述外腔体连接一个第二抽真空口，所述第一抽真空口和所述第二抽真空口分别独立设置，并且延伸至所述外腔体的外侧，第一抽真空口和第二抽真空口分别独立控制内腔体、外腔体的压力，可以精确控制内腔体与外腔体的压差值，有利于控制反应过程。

技术领域

本实用新型涉及一种ALD镀膜反应腔，属于原子层沉积设备领域。

背景技术

原子层沉积技术(ALD)，也称为原子层外延(ALE)技术，是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相沉积薄膜的方法。在利用ALD镀膜的设备中，ALD镀膜反应腔包括内腔体和外腔体，内腔体容纳于外腔体中，内腔体和外腔体需抽真空，内腔体的真空度大于外腔体的真空度，以保证外腔体的压力大于内腔体，实现内腔体的气体不易泄露，防止反应区产生的颗粒物泄漏到外腔体中。

现有的ALD镀膜反应腔10，如图1所示，该ALD镀膜反应腔10的内腔体11和外腔体12共用一个抽真空口13，外腔体12的抽真空管道121设置在内腔体11的抽真空管道111之外，两者之间存在一个狭缝14，抽真空时，外腔体12的气体从狭缝14被抽走，该ALD镀膜反应腔10主要是通过控制狭缝14的大小，来调节内腔体11与外腔体12之间的压力差，但这种方式只能凭靠经验来设置狭缝14的大小，且压力差值难以调控。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种方便精确控制内腔体和外腔体的压差值的ALD镀膜反应腔。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种ALD镀膜反应腔，其包括内腔体及外腔体，所述内腔体容纳于所述外腔体中，所述内腔体连接一个第一抽真空口，所述外腔体连接一个第二抽真空口，所述第一抽真空口和所述第二抽真空口分别独立设置，并且延伸至所述外腔体的外侧。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述外腔体设有凹槽，至少部分的所述内腔体定位于所述凹槽中。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述外腔体的一侧连接所述第二抽真空口，另一侧设有供所述第一抽真空口的管道穿过的开口。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，还包括固接于所述开口处的真空法兰，所述真空法兰密封所述开口的内壁与所述第一抽真空口的管道之间的缝隙。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，还包括波纹管，所述波纹管套设于所述第一抽真空口的管道上，并且抵接于所述真空法兰。

作为本实用新型进一步改进的技术方案，所述第一抽真空口或/和所述第二抽真空口的位置能够根据需要进行调整。

相较于现有技术，本实用新型ALD镀膜反应腔的内腔体连接一个第一抽真空口，所述外腔体连接一个第二抽真空口，所述第一抽真空口和所述第二抽真空口分别独立设置，并且延伸至所述外腔体的外侧，第一抽真空口和第二抽真空口分别独立控制内腔体、外腔体的压力，可以精确控制内腔体与外腔体的压差值，有利于控制反应过程；第一抽真空口、第二抽真空口的位置不固定，可根据需要设置在合适的位置。

附图说明

图1是现有ALD镀膜反应腔的结构示意图。

图2是本实用新型ALD镀膜反应腔的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图2所示，本实用新型实施例揭示了一种应用于ALD技术的ALD镀膜反应腔20，其包括内腔体21、外腔体22、波纹管23和真空法兰24，工件25容纳于内腔体21中。