[实用新型]一种太阳能电池有效
申请号: | 202021429208.2 | 申请日: | 2020-07-20 |
公开(公告)号: | CN212848426U | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 张俊兵;刘淑华;尹海鹏 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人: | 程虹 |
地址: | 225009 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括硅基体(1),所述硅基体(1)的正面包括第一表面,所述第一表面包括掺杂区域(1-1)和未掺杂区域(1-2),所述未掺杂区域(1-2)分布在掺杂区域(1-1)的四周边缘区域,所述掺杂区域(1-1)的上表面设置有掺杂层(2)。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述未掺杂区域(1-2)和掺杂层(2)的上表面设有第一复合钝化膜(3),所述第一复合钝化膜(3)的上表面设有正面电极(4)。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述硅基体(1)的背面沿远离硅基体(1)的方向依次设有钝化介质层(5)、选择性载流子传输层(6)、第二复合钝化膜(7)和背面电极(8)。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化介质层(5)为氧化硅层、氧化铝层、氧化钛层和氮氧化硅层中的一种单层膜或几种的叠层膜。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述选择性载流子传输层(6)为微晶硅薄膜层、非晶硅薄膜层和多晶硅薄膜层中的一种或者几种叠层的硅薄膜。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述钝化介质层(5)的厚度为0.1~10.0nm。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述选择性载流子传输层(6)的厚度为10~300nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一复合钝化膜(3)和第二复合钝化膜(7)的厚度均为1~300nm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂区域(1-1)的上表面为绒面,所述未掺杂区域(1-2)的上表面为抛光面。
10.根据权利要求1-8任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂层(2)的导电类型与所述硅基体(1)的导电类型相反或者相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的