[实用新型]一种显示基板及显示装置有效
申请号: | 202021447971.8 | 申请日: | 2020-07-21 |
公开(公告)号: | CN212433551U | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 李晓颖;闫岩;田丽 | 申请(专利权)人: | 北京京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;陈丽宁 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 显示装置 | ||
本实用新型提供一种显示基板及显示装置,该显示基板包括:衬底基板;形成于衬底基板之上的栅金属图形,栅金属图形包括多根栅金属走线;形成于栅金属图形的远离衬底基板的一侧的源漏金属图形,包括多根源漏金属走线;栅金属走线与源漏金属走线交叉设置,且栅金属走线在与源漏金属走线交叉的位置,以第一分界线为界线,划分为第一走线部分和第二走线部分,且第一走线部分和第二走线部分在第一分界线的延伸方向上错开预定距离,并连接为一体,第一分界线与源漏金属走线的走线方向相同。本实用新型的显示基板及显示装置,能够改善显示基板中处于上、下层关系且交叉设置的两层信号走线在交叉位置位于上层的信号走线爬坡处容易断开所造成的显示不良。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及显示装置。
背景技术
随着液晶显示的广泛应用,解决各种显示不良和优化显示效果的技术和设计也在逐步发展。在相关技术中,显示器件有一种显示不良是:基于TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)基板工艺制作流程,数据线(即Data线,由源漏金属层形成)在栅线和公共电极线(即GateCom线,由栅金属层形成)上面形成,由于栅线和公共电极线具有一定的厚度,因此,数据线在跨越栅线和公共电极线时会形成一定的坡度跨越,而数据线较细,在爬坡处容易断开造成显示不良,降低产品良率,降低收益。
实用新型内容
为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种显示基板及显示装置,能够改善显示基板中处于上、下层关系且交叉设置的两层信号走线在交叉位置位于上层的信号走线爬坡处容易断开所造成的显示不良。
为了达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:
本实用新型一方面提供了一种显示基板,包括:
衬底基板;
形成于所述衬底基板之上的栅金属图形,所述栅金属图形包括多根栅金属走线;
及,形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板的一侧的源漏金属图形,所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线;
其中所述栅金属走线与所述源漏金属走线交叉设置,且所述栅金属走线在与所述源漏金属走线交叉的位置,以第一分界线为界线,划分为第一走线部分和第二走线部分,且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离,并连接为一体,所述第一分界线与所述源漏金属走线的走线方向相同。
示例性的,所述预定距离为0.9~1.1μm。
示例性的,所述预定距离为1μm。
示例性的,所述栅金属走线包括栅线和/或公共电极线;
所述源漏金属走线包括数据线。
示例性的,所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽相同。
示例性的,所述栅线中,所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为24±1μm;
所述公共电极线中,所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为10±1μm。
示例性的,所述源漏金属走线在垂直于所述源漏金属走线的走线方向上的线宽为7±1μm。
本实用新型的另一方面提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。
本实用新型所带来的技术效果如下:
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