[实用新型]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底(10)与位于所述半导体衬底(10)的正面(10a)的异质结(11)，所述半导体衬底(10)的背面(10b)具有漏极区域(10c)，所述异质结(11)包括栅极区域(11c)与位于所述栅极区域(11c)两侧的源极区域(11d)，所述半导体衬底(10)包括超结结构(12)，所述超结结构(12)包括若干P型层(12a)与若干N型层(12b)，所述P型层(12a)与所述N型层(12b)自所述半导体衬底(10)的正面(10a)在所述半导体衬底(10)的厚度方向延伸且在所述源极区域(11d)的连线方向上交替分布。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底(10)的导电类型为P型，所述P型半导体衬底(10)充当所述P型层(12a)；或所述半导体衬底(10)的导电类型为N型，所述N型半导体衬底(10)充当所述N型层(12b)。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述P型层(12a)与所述N型层(12b)自所述半导体衬底正面(10a)延伸至所述半导体衬底(10)的部分厚度；或所述P型层(12a)与所述N型层(12b)自所述半导体衬底正面(10a)延伸至所述半导体衬底(10)的全部厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底(10)与所述异质结(11)之间自下而上还包括：成核层(15)与缓冲层(16)；所述超结结构(12)还位于所述成核层(15)内，或位于所述成核层(15)与所述缓冲层(16)内。

5.根据权利要求1至4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述异质结(11)上的P型半导体层(13)。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述P型半导体层(13)上的栅极(14a)、位于所述栅极(14a)两侧的源极(14b)以及位于所述半导体衬底背面(10b)的漏极(14c)。

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述异质结(11)自下而上包括沟道层(11a)与势垒层(11b)，所述源极(14b)接触所述沟道层(11a)或所述势垒层(11b)。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述栅极区域(11c)上的栅极结构(14d)、位于所述栅极结构(14d)两侧的源极(14b)以及位于所述半导体衬底背面(10b)的漏极(14c)；所述栅极结构(14d)自下而上包括：栅极绝缘层(14e)与栅极(14a)。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：位于所述栅极区域(11c)上的栅极结构(14d)、位于所述栅极结构(14d)两侧的源极(14b)以及位于所述半导体衬底背面(10b)的漏极(14c)；所述栅极结构(14d)自下而上包括：栅极氧化层(14f)与栅极(14a)。

10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体衬底(10)的材料为N型碳化硅或N型单晶硅，所述P型层(12a)的材料为P型III族氮化物材料；或所述半导体衬底(10)的材料为P型碳化硅或P型单晶硅，所述N型层(12b)的材料为N型III族氮化物材料。