[实用新型]一种电缆用突脊型屏蔽层结构

说明书

本实用新型涉及一种电缆用突脊型屏蔽层结构，用于制作中高压电缆绝缘芯线，属于电缆技术领域。技术方案是：突脊型非金属半导电屏蔽层（4）由基底平滑的外表面（5）和截面类似锥形或者针状的突脊（6）构成，所述外表面（5）上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊（6），突脊（6）相互平行布置在外表面（5）上，突脊（6）横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度。本实用新型的积极效果：用于中高压电缆绝缘芯线的半导电屏非金属屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层形成在交联线芯挤出的过程，表面具有不同形状和结构的突脊，以利于金属屏蔽与绝缘之间的势能缓冲释放，保障电缆系统安全运行。

技术领域

本实用新型涉及一种电缆用突脊型屏蔽层结构，用于制作中高压电缆绝缘芯线，属于电缆技术领域。

背景技术

中高压电缆绝缘芯线在由铜、铝或铝合金制成的金属屏蔽的电缆中，金属屏蔽通常包覆在具有非金属导电层的屏蔽上部。金属屏蔽紧贴非金属导体层，以利于非金属导电层与金属屏蔽之间的导通，非金属导电层通常为内部平滑纹理。该平滑纹理确保当电流通过时改善电场分布，外部设置金属屏蔽，一般具有如下功能：在电缆正常通电时通过电容电流；短路故障时通过短路电流；屏蔽外界干扰及内部电磁屏蔽；防止电缆的轴向沿面放电等。但是，电缆在运行过程，由于绝缘材料的热溶胀，导致金属包覆层与绝缘之间张紧，对电缆系统运行造成安全隐患。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种电缆用突脊型屏蔽层结构，为突脊型非金属半导电屏蔽层，用于中高压电缆绝缘芯线的半导电屏非金属屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层形成在交联线芯挤出的过程，表面具有不同形状和结构的突脊，以利于金属屏蔽与绝缘之间的势能缓冲释放，保障电缆系统安全运行，解决背景技术中存在的上述问题。

本实用新型的技术方案是：

一种电缆用突脊型屏蔽层结构，为中高压电缆绝缘芯线用突脊型非金属半导电屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层由基底平滑的外表面和截面类似锥形或者针状的突脊构成，所述外表面上纵向布置多个半导电非金属屏蔽的突脊，突脊相互平行布置在外表面上，突脊横向截面为类似锥形或者针状，其基底宽度大于顶端宽度，突脊的基底的表面积大于突脊的中点或者顶端的表面积。

所述突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊在外表面之上的高度为0.3-2.0mm之间，突脊的个数在4-205个突脊/圆周之间。

所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度为0.3-1.65mm。

所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底层厚度，优选0.3-0.9mm。

所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊高度，优选0.3-0.6mm。

所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底占用绝缘屏蔽基底层面积比为20%-90%。

所述的突脊型非金属半导电屏蔽层的突脊基底占用绝缘屏蔽基底层面积比，优选50%-90%。

本实用新型的积极效果：用于中高压电缆绝缘芯线的半导电屏非金属屏蔽层，突脊型非金属半导电屏蔽层形成在交联线芯挤出的过程，表面具有不同形状和结构的突脊，以利于金属屏蔽与绝缘之间的势能缓冲释放，保障电缆系统安全运行。

附图说明

图1为使用本实用新型的突脊型半导电非金属屏蔽层制作的绝缘线芯的示意图；

图2为本实用新型实施例一突脊型非金属半导电屏蔽层的轴向截面示意图；

图3为本实用新型实施例一突脊型非金属半导电屏蔽层的径向截面示意图；

图4为本实用新型实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的轴向截面示意图；

图5为本实用新型实施例二突脊型非金属半导电屏蔽层的径向截面示意图；