[实用新型]一种基于ARM处理器的双脉冲测试系统有效
申请号: | 202021457474.6 | 申请日: | 2020-07-22 |
公开(公告)号: | CN212932853U | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 杨成;何雄;孙利娟;熊先平;张玉龙 | 申请(专利权)人: | 湖北英特利电气有限公司;北京英特利科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26 |
代理公司: | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人: | 朱玲艳 |
地址: | 431960 湖北省荆门*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 arm 处理器 脉冲 测试 系统 | ||
本实用新型涉及一种基于ARM处理器的双脉冲测试系统,包括:上位机,用于提供控制信号;控制器,用于根据所述控制信号控制高分辨率计时器生成第一脉冲信号和第二脉冲信号;驱动装置,用于对所述第一脉冲信号进行功率放大处理得到第一放大脉冲信号、对所述第二脉冲信号进行功率放大处理得到第二放大脉冲信号;电平转换装置,用于将所述第一放大脉冲信号转换成高电平的第一输出脉冲信号、将所述第二放大脉冲信号转换成高电平的第二输出脉冲信号。本实用新型在有限主频的前提下,通过高分辨率计时器仍能提供需求的脉冲精度,同时本实用新型提供的脉冲信号经过放大、电平转换处理,具有更强的抗干扰能力。
技术领域
本实用新型涉及IGBT性能检测技术领域,特别是涉及一种基于ARM处理器的双脉冲测试系统。
背景技术
绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT),是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和巨型晶体管(Giant Transistor,简称GTR)的低导通压降两方面的优点。IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
一般IGBT的规格书中的参数是在特定条件下的测试数据,不一定能够代表实际应用中的真实表现,使用IGBT时,不能够过于依赖其数据表,要与实际应用工况相结合,此时,则需通过双脉冲对IGBT进行一系列测试。
开关器件频率的提高对双脉冲测试平台的精度提出了更高的要求,双脉冲测试平台的分辨率与核心控制器的工作频率有直接联系;目前,市场常见的双脉冲测试平台核心控制器的主频为百兆赫兹,脉冲精度一般为us级,但是,在有限主频的情况下,现有的双脉冲测试平台就不能提供相应的脉冲精度。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种基于ARM处理器的双脉冲测试系统,以实现在有限主频的情况仍能提供相应的脉冲精度。
为实现上述目的,本实用新型提供了如下方案:
一种基于ARM处理器的双脉冲测试系统,包括:
上位机,用于提供控制信号;
控制器,用于根据所述控制信号控制高分辨率计时器生成第一脉冲信号和第二脉冲信号;
驱动装置,用于对所述第一脉冲信号进行功率放大处理得到第一放大脉冲信号、对所述第二脉冲信号进行功率放大处理得到第二放大脉冲信号;
电平转换装置,用于将所述第一放大脉冲信号转换成高电平的第一输出脉冲信号、将所述第二放大脉冲信号转换成高电平的第二输出脉冲信号。
优选地,所述控制器的型号为STM32F334。
优选地,所述测试系统还包括:
TTL-USB装置,用于将所述控制信号从USB逻辑电平转换成UART逻辑电平,并发送给所述控制器。
优选地,所述驱动装置的型号为74HC245。
优选地,所述电平转换装置的型号为14504BG。
优选地,所述控制器通过双绞线与所述TTL-USB装置连接。
优选地,所述控制信号包括:
所述第一脉冲信号和所述第二脉冲信号的生成信号、所述第一脉冲信号的高电平时间、所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号的间隔时间及所述第二脉冲信号的高电平时间。
根据本实用新型提供的具体实施例,本实用新型公开了以下技术效果:
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