[实用新型]一种紫光LED外延的结构有效
| 申请号： | 202021458089.3 | 申请日： | 2020-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN212991112U | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 解向荣;吴永胜 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/20;H01L33/32 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 黄以琳;张忠波 |
| 地址： | 350108 福建省福州市闽侯县南屿镇生*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫光 led 外延 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种紫光LED的外延结构，其特征在于，包括衬底上依次生长的如下部分：
ALN薄膜；
铝镓氮缓冲层；
非掺杂的铝镓氮层；
N型铝镓氮层；
应力释放层；
高温量子阱结构；
发光量子阱结构；
阻挡层，所述阻挡层为铝镓氮阻挡层，包括多个循环的：氮化铝/ALxGa(1-x)N/ALaInbGa(1-a-b)N；
P型铝镓氮结构；
重掺杂P型ALGaN。
2.根据权利要求1所述的一种紫光LED的外延结构，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的一种紫光LED的外延结构，其特征在于，所述铝镓氮阻挡层包括多个循环的：氮化铝/Mg掺杂的ALxGa(1-x)N/ALaInbGa(1-a-b)N。
4.根据权利要求1所述的一种紫光LED的外延结构，其特征在于，所述的重掺杂的P型ALGaN层厚度5-10nm，掺杂类型为Mg掺杂。
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