[实用新型]异质结太阳电池及电池组件

说明书

本申请提供异质结太阳电池及电池组件，涉及太阳电池技术领域。异质结太阳电池包括依次层叠设置的硅片、钝化层、掺杂层、TCO薄膜，以及位于TCO薄膜远离掺杂层一侧的主体电极；主体电极包括：与TCO薄膜接触的多个间隔分布的金属复合层，以及位于金属复合层远离TCO薄膜一侧的多个平行分布的热压贱金属丝；金属复合层的厚度为2‑50nm。该热压贱金属丝为贱金属，降低了成本。金属复合层的厚度仅2‑50nm，即使该金属复合层中含有贵金属，由于其厚度小，因此成本也较低。热压金属丝与TCO薄膜之间通常存在空洞，主体电极中金属复合层与TCO薄膜直接接触，热压金属丝通过金属复合层与TCO薄膜接触，增加了主体电极与TCO薄膜的附着强度，提升导电连接的可靠性，减小接触电阻。

技术领域

本实用新型涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种异质结太阳电池及电池组件。

背景技术

异质结太阳电池通常由依次层叠设置的硅片、钝化层、掺杂层、TCO(TransparentConductiveOxide，透明导电氧化物)薄膜，以及位于TCO薄膜远离掺杂层一侧的栅线组成。

目前，异质结太阳电池的栅线的材料主要为低温银浆，具体的，将低温银浆丝网印刷在TCO薄膜上，然后烘干固化得到栅线。

然而，异质结太阳电池中的栅线需要消耗大量的低温银浆，导致异质结太阳电池的成本较高。

实用新型内容

本实用新型提供一种异质结太阳电池及电池组件，旨在解决现有的异质结太阳电池中栅线消耗大量的低温银浆，导致异质结太阳电池的成本高的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种异质结太阳电池，所述异质结太阳电池包括依次层叠设置的硅片、钝化层、掺杂层、TCO薄膜，以及位于所述TCO薄膜远离所述掺杂层一侧的主体电极；

所述主体电极包括：与所述TCO薄膜接触的多个间隔分布的金属复合层，以及位于所述金属复合层远离所述TCO薄膜一侧的多个平行分布的热压贱金属丝；所述金属复合层的厚度为2-50nm；

所述金属复合层的投影与所述热压贱金属丝的投影对应重合。

可选的，每个所述金属复合层均由低阻金属子膜层和阻挡接触贱金属子膜层组成；其中，所述低阻金属子膜层与所述TCO薄膜接触。

可选的，所述低阻金属子膜层和所述阻挡接触贱金属子膜层的厚度均为 1-25nm。

可选的，所述热压贱金属丝由贱金属丝和包裹所述贱金属丝的低温连接层组成。

可选的，所述热压贱金属丝的厚度为40-220um，所述贱金属丝的厚度为30-200um。

可选的，所述低温连接层为低温合金层或各向异性的导电胶。

可选的，所述低阻金属子膜层为铜低阻子膜层和/或银低阻子膜层；

所述阻挡接触贱金属子膜层为镍阻挡接触子膜层和/或铝阻挡接触子膜层。

可选的，与长度垂直的方向上，所述贱金属丝的截面为圆形。

可选的，贱金属丝为铜丝和/或铝丝。

可选的，所述低温合金层为锡铋合金层；

所述各向异性的导电胶为金属颗粒与树脂构成的导电胶。