[实用新型]Ge光电探测器

权利要求书

1.一种Ge光电探测器，其特征在于，包括：

Si波导，所述Si波导包括依次叠置的底Si层、埋氧层及顶Si层；其中，所述顶Si层包括水平方向依次排列的P型掺杂接触区、I型区及N型掺杂接触区；

Ge吸收层，所述Ge吸收层位于所述I型区上；

钝化层，所述钝化层覆盖所述P型掺杂接触区、N型掺杂接触区及Ge吸收层；

热源层，所述热源层位于所述Ge吸收层的上方；

金属电极，所述金属电极贯穿所述钝化层，且与所述P型掺杂接触区及N型掺杂接触区相接触。

2.根据权利要求1所述的Ge光电探测器，其特征在于：所述热源层与所述Ge吸收层之间的所述钝化层的厚度D的范围包括D≥0.5μm。

3.根据权利要求1所述的Ge光电探测器，其特征在于：所述热源层包括TiN层及TaN层中的一种或组合。

4.根据权利要求1所述的Ge光电探测器，其特征在于：还包括位于所述Ge吸收层与所述热源层之间的导热层，且所述导热层的热导率大于所述钝化层。

5.根据权利要求4所述的Ge光电探测器，其特征在于：所述导热层的相对两面分别与所述Ge吸收层及热源层相接触。

6.根据权利要求4所述的Ge光电探测器，其特征在于：所述导热层包括AlN层，所述钝化层包括SiO₂层。