[实用新型]三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线有效
| 申请号： | 202021471205.5 | 申请日： | 2020-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN212626043U | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 寻建晖;沙莎;葛庆坤;陈援非 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所济宁分所（山东省物联网技术发展研究院） |
| 主分类号： | H01Q1/36 | 分类号： | H01Q1/36;H01Q1/38;H01Q1/52;H01Q5/28;H01Q5/307;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 张贤 |
| 地址： | 272000 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 频带 隔离 紧凑型 单元 mimo 天线 | ||
1.一种三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，包括介质基板(6)，其特征在于：所述的介质基板(6)上设有天线单元I和天线单元II，天线单元I和天线单元II关于X轴呈轴对称分布，天线单元I和天线单元II之间连接有中和线金属去耦结构(4)，中和线金属去耦结构(4)作用于天线单元I和天线单元II的低频带，中和线金属去耦结构(4)基于X轴呈轴对称分布。
2.根据权利要求1所述的三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，其特征在于：所述的天线单元I包括大T形金属辐射结构I(1a)、小T形金属辐射结构I(2a)和倒L形金属辐射结构I(3a)，天线单元II包括大T形金属辐射结构II(1b)、小T形金属辐射结构II(2b)和倒L形金属辐射结构II(3b)。
3.根据权利要求2所述的三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，其特征在于：所述的介质基板(6)包括介质基板正面(6a)和介质基板背面(6b)，其中大T形金属辐射结构I(1a)和大T形金属辐射结构II(1b)位于介质基板正面(6a)，并且两者关于X轴呈轴对称分布，小T形金属辐射结构I(2a)、小T形金属辐射结构II(2b)、倒L形金属辐射结构I(3a)和倒L形金属辐射结构II(3b)位于介质基板背面(6b)，小T形金属辐射结构I(2a)和小T形金属辐射结构II(2b)关于X轴呈轴对称分布，倒L形金属辐射结构I(3a)和倒L形金属辐射结构II(3b)关于X轴呈轴对称分布。
4.根据权利要求3所述的三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，其特征在于：所述的介质基板背面(6b)上蚀刻有地板(5)，小T形金属辐射结构I(2a)、小T形金属辐射结构II(2b)、倒L形金属辐射结构I(3a)和倒L形金属辐射结构II(3b)均连接地板(5)。
5.根据权利要求3所述的三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，其特征在于：所述的中和线金属去耦结构(4)位于介质基板背面(6b)的背面，中和线金属去耦结构(4)的两端分别与倒L形金属辐射结构I(3a)和倒L形金属辐射结构II(3b)相连接。
6.根据权利要求1或5所述的三频带高隔离度紧凑型双单元MIMO天线，其特征在于：所述的中和线金属去耦结构(4)为U形。
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