[实用新型]模拟光耦的信号发送电路有效

专利信息
申请号: 202021475715.X 申请日: 2020-07-23
公开(公告)号: CN212341759U 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 龚晓寒;盛云 申请(专利权)人: 苏州纳芯微电子股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 沈晓敏
地址: 215000 江苏省苏州市工业*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 模拟 信号 发送 电路
【权利要求书】:

1.一种模拟光耦的信号发送电路,其特征在于,所述信号发送电路包括依次连接的反压保护模块、电压钳位模块及隔离传输模块,所述反压保护模块与电源正极相连通以将电流信号传送至电压钳位模块;所述电压钳位模块包括相互串联的正温度系数支路和负温度系数支路,所述电压钳位模块的输出电压为正温度系数支路两端的正温度系数电压与负温度系数支路两端的负温度系数电压之和。

2.根据权利要求1所述的信号发送电路,其特征在于,所述负温度系数支路包括第一三极管和第二三极管,所述第一三极管和第二三极管的基极互连、发射极均接电源负极,所述第一三极管的基极和集电极相互连接。

3.根据权利要求2所述的信号发送电路,其特征在于,所述第二三极管的面积是第一三极管的N倍,其中N>1。

4.根据权利要求2所述的信号发送电路,其特征在于,所述正温度系数支路包括第一电阻,所述第一电阻一端接所述反压保护模块的输出端,另一端与所述负温度系数支路相串联;所述负温度系数支路还包括第二电阻,所述第二三极管的发射极通过第二电阻接入电源负极。

5.根据权利要求4所述的信号发送电路,其特征在于,所述负温度系数支路还包括第一mos管和第二mos管,所述第一mos管和第二mos管的栅极互相连接且与第一三极管的基极互联;所述第一电阻均与第一mos管和第二mos管的输入端相连接,第一mos管和第二mos管的输出端分别接入第一三极管和第二三极管的集电极。

6.根据权利要求5所述的信号发送电路,其特征在于,所述第一mos管和第二mos管均为PMOS管,且阈值电压相同。

7.根据权利要求5所述的信号发送电路,其特征在于,所述电压钳位模块的输出电压Vclamp为:

其中,△Vbe为第二三极管和第一三极管的Vbe电压差,R1为第一电阻,R2为第二电阻,V1be为第一三极管的基极和发射极之间的电压差,Vth为第一mos管的阈值电压。

8.根据权利要求2所述的信号发送电路,其特征在于,所述电压钳位模块还包括环路增益支路,所述环路增益支路包括第三电阻、第三三极管;所述第三三极管的基极连接至第二三极管的集电极,发射极接电源负极,集电极通过第三电阻连接至电源正极。

9.根据权利要求8所述的信号发送电路,其特征在于,所述环路增益支路还包括第三mos管,所述第三mos管为PMOS,所述第三mos管的栅极接入第三电阻和第三三极管的集电极之间,所述第三mos管的源极接电源正极、漏极接电源负极。

10.根据权利要求1所述的信号发送电路,其特征在于,所述反压保护模块包括第四mos管,所述第四MOS管为PMOS管,所述第四mos管的栅极接入电源负极,源极接电源正极,漏极与所述电压钳位模块相连接。

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